[发明专利]发光元件

说明书

一种发光元件，包括：n型半导体层，其主要包括Al_xGa_1‑xN(0.5≤x≤1)；p型半导体层；发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；n电极，其连接至n型半导体层；以及多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置。n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

相关申请的交叉引用

本申请基于2016年9月21日提交的日本专利申请第2016-184861号，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及发光元件，并且特别地，涉及紫外光发射元件。

背景技术

已知一种发光区域被划分为多个部分的发光元件(例如参见JP-B-3912219)。JP-B-3912219公开了可以解决在远离电极的部分处电流流动降低而引起发光效率降低的问题的发光元件。

发明内容

一种由III族氮化物半导体形成并且发射被称为UV-B或者UV-C的短波长范围内的光的发光元件具有高Al成分的半导体层。发光元件可以使n型半导体层具有比发射长波长的光的发光元件更高的薄层电阻，并且可以将具有充分的发射强度的发光层仅限制在靠近n电极的区域。此外，由于发光元件在n型半导体层与n电极之间具有高接触电阻，所以如果该发光元件的n电极被设置有与发射长波长的光的发光元件相当的面积，则该发光元件可能具有高正向电压。

假设由JP-B-3912219公开的发光元件由于示例性提及的发光元件的发射波长和半导体层的材料而不计入UV-B或者UV-C波长范围内的发射。此外，JP-B-3912219没有记载发射UV-B或者UV-C波长范围内的光的发光元件的上述问题。

本发明的一个目标是提供下述发光元件：即使当该发光元件被配置成发射UV-B或者UV-C波长范围内的光时，该发光元件也可以防止由于半导体层的成分而引起的发光效率的降低和正向电压的升高。

根据本发明的实施例，提供由下述[1]至[10]限定的发光元件。

[1]一种发光元件，包括：

n型半导体层，其主要包括Al_xGa_1-xN(0.5≤x≤1)；

p型半导体层；

发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；

n电极，其连接至n型半导体层；以及

多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置，

其中，n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

[2]根据[1]所述的发光元件，其中，n型半导体层主要包括Al_xGa_1-xN(x≥0.65)。

[3]根据[1]或[2]所述的发光元件，其中，n电极的边缘与p电极上距n电极的边缘最远的点之间的距离不超过100μm。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的发光元件，其中，p电极的面积不小于基片面积的45％。

[5]根据[1]至[4]中任一项所述的发光元件，其中，p电极的平面形状是圆形或者具有不少于四个顶点的多边形。

[6]根据[5]所述的发光元件，其中，p电极的平面形状是圆形或六边形。

[7]根据[1]至[6]中任一项所述的发光元件，其中，点图案中的每个p电极在具有圆形形状的情况下的半径或者在具有多边形形状的情况下的边不小于50μm。