[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，包括：

基板保持工序，将基板保持为水平；

处理液供给工序，向保持为水平的所述基板供给包含水的处理液；

基板旋转工序，使保持为水平的所述基板旋转；

液膜形成工序，通过使保持为水平的所述基板以第一旋转速度旋转并且向基板的上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体，使所述基板上的处理液置换为所述低表面张力液体，在所述基板的上表面形成所述低表面张力液体的液膜；

旋转减速工序，在保持为水平的所述基板上的处理液被置换为表面张力低于水的低表面张力液体后，继续进行所述液膜形成工序并且使所述基板的旋转减速到低于所述第一旋转速度的速度即第二旋转速度；

开口形成工序，在所述液膜形成工序结束后，在以所述第二旋转速度旋转的基板上的所述液膜的中央区域形成开口；以及

液膜排除工序，通过使所述开口扩展，从所述基板的上表面排除所述液膜，

该基板处理方法还包括基板加热工序，加热在上表面保持有所述液膜的状态的基板；

所述基板加热工序包括加热停止工序，在执行所述开口形成工序的期间，停止加热保持为水平的所述基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第一旋转速度是向保持为水平的所述基板的外侧甩掉所述处理液的速度。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述第二旋转速度是在所述基板上保持所述液膜的速度。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述基板旋转工序包括向保持为水平的所述基板的上表面供给包含水的处理液并且使所述基板以第一处理液速度旋转的工序，

所述基板旋转工序还包括使以所述第一处理液速度旋转的基板的旋转加速到高于所述第一处理液速度的速度即第二处理液速度的基板加速工序。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，

所述第二处理液速度是与所述第一旋转速度相同的速度。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述基板加热工序包括重新开始加热工序，在所述开口形成工序结束后，重新开始加热保持为水平的所述基板。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述基板加热工序在所述旋转减速工序结束后开始。

8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述开口形成工序包括非活性气体喷射工序，所述非活性气体喷射工序向所述液膜的中央区域喷射非活性气体。

9.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

还包括低表面张力液体供给工序，向保持为水平的所述基板的上表面上的比所述开口更靠外侧的位置供给表面张力低于水的低表面张力液体。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，

还包括使保持为水平的所述基板的上表面上的供给表面张力低于水的低表面张力液体的位置以追随所述开口的扩展的方式移动的工序。