[发明专利]一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1，以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10^-5g/ml的碳纳米管溶液，并对制备出的碳纳米管溶液进行超声清洗；

步骤2，按照1:1-20:0.01-0.05：0.5-1的质量比分别称取正硅酸乙酯、无水乙醇、蒸馏水和稀盐酸，将称取的正硅酸乙酯、无水乙醇、蒸馏水和稀盐酸混合均匀后，得到氧化硅溶液；

步骤3，按照0.5-1：20的体积比分别量取经步骤1得到的碳纳米管溶液和经步骤2得到的氧化硅溶液，将量取后的碳纳米管溶液和氧化硅溶液放入密封容器中搅拌均匀，得到掺杂碳纳米管的氧化硅溶液；

步骤4，选取基板，将基板置于经步骤3得到的掺杂碳纳米管的氧化硅溶液中，并采用浸渍提拉法在其表面提拉一层凝胶薄膜；

步骤5，将经步骤4得到的基板放入管式炉中，对凝胶薄膜进行退火处理，之后在空气中自然冷却，最终得到抗大电压氧化硅阻变薄膜。

2.根据权利要求1所述的抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤1中：进行所述超声清洗的时间为30min。

3.根据权利要求1所述的抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤4中：所述基板的材质为单晶硅。

4.根据权利要求1所述的抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤5中：所述退火处理的温度为700℃。

5.根据权利要求4所述的抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤5中：所述退火处理的时间为20min-25min。