[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201710764886.0 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN107611063B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 难波敏光 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,对基板进行处理,其特征在于,
具有:
腔室,具有腔室主体以及腔室盖部,通过由所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口,来形成被密闭的内部空间,
基板保持部,配置在所述腔室的所述内部空间内,将基板保持为水平状态,
基板旋转机构,以朝向上下方向的中心轴为中心,使所述基板与所述基板保持部一起进行旋转,
处理液排出部,将供给到所述基板上的处理液向所述腔室外排出;
所述基板旋转机构具有:
环状的转子部,其配置在所述腔室的所述内部空间内,并安装有所述基板保持部,
定子部,在所述腔室外配置在所述转子部的周围,在所述定子部与所述转子部之间产生旋转力,
多个升降销,在以所述中心轴为中心的周向上避开所述基板保持部排列,在上下方向上贯通所述腔室盖部并向下突出到所述内部空间内,
升降销移动机构,配置在所述腔室的所述内部空间的外侧,在所述腔室盖部的上方与所述多个升降销的上部连接,使所述多个升降销相对于所述腔室盖部在所述上下方向上进行移动;
通过所述升降销移动机构使所述多个升降销各自的顶端部从退避位置下降到交接位置,在所述交接位置,在所述多个升降销和所述基板保持部之间进行基板的交接。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有喷嘴,该喷嘴安装在所述腔室盖部上,用于向所述基板的上表面供给处理液。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有其他喷嘴,所述其他喷嘴在所述腔室主体上安装在与所述基板的下表面相向的腔室底部,用于向所述基板的所述下表面供给处理液。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室盖部具有盖突出部,该盖突出部相比所述多个升降销位于以所述中心轴为中心的径向的内侧,并向下方突出。
5.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有:
处理液供给部,向所述腔室内供给处理液,
控制部,对所述基板旋转机构以及所述处理液供给部进行控制;
通过所述控制部的控制,在所述基板保持部未保持基板的状态下向所述腔室内供给所述处理液并进行贮存,在所述内部空间内在所述基板保持部的至少一部分浸渍在所述处理液中的状态下,使所述基板保持部进行旋转,由此进行所述腔室内的清洗处理。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
在进行所述腔室内的清洗时,在所述处理液充满所述内部空间的状态下,使所述基板保持部进行旋转。
7.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
在进行所述腔室内的清洗时,所述基板保持部向在以所述中心轴为中心的周向上的一个方向旋转后,向在所述周向上的另一个方向旋转。
8.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具有气体排出部,该气体排出部将所述内部空间的气体向所述腔室外排出;
通过所述控制部的控制,在进行所述腔室内的清洗后,将所述内部空间的所述处理液向所述腔室外排出,然后,在使所述内部空间处于减压环境的状态下使所述基板旋转机构旋转,来进行所述腔室内的干燥处理。
9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述转子部利用在所述转子部与所述定子部之间作用的磁力,在所述内部空间内以漂浮状态进行旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造