[发明专利]有机发光显示面板及制备方法、有机发光显示装置有效
申请号: | 201710765496.5 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107342311B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 李玉军 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 11603 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,包括显示区和环绕所述显示区的非显示区;
反射层,设置在所述阵列基板的非显示区、且环绕所述显示区,所述反射层设有多个粘接孔;
应力释放结构,设置在各所述粘接孔内;盖板,与所述阵列基板相对设置;
黏合剂,位于在所述阵列基板和所述盖板之间,用于封装所述阵列基板和所述盖板,所述黏合剂填充在所述应力释放结构与所述粘接孔之间的空隙处,所述应力释放结构用于释放所述黏合剂在与所述粘接孔粘接时产生的应力;
驱动芯片,用于为所述有机发光显示面板提供驱动信号;
其中,所述阵列基板还包括多条与所述驱动芯片电连接的扇出引线,各所述扇出引线位于非显示区,且各所述扇出引线向所述阵列基板的衬底的正投影与所述反射层向所述阵列基板的衬底的正投影相交叠;
各所述扇出引线位于第一金属层和/或电容金属层,所述反射层位于第二金属层,所述反射层和各所述扇出引线之间存在至少一层绝缘层;
所述扇出引线向所述阵列基板的衬底的正投影与所述粘接孔向所述衬底的正投影不交叠;
所述应力释放结构向所述衬底的正投影的图形至少包括三条边,且该所述图形存在至少一个夹角的角度小于60°。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,各所述扇出引线与所述黏合剂不接触。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述粘接孔与所述扇出引线之间存在所述绝缘层,或者所述粘接孔贯穿所述第二金属层以及位于该所述第二金属层与各所述扇出引线之间的各层结构。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,当所述粘接孔与所述扇出引线之间存在所述绝缘层时,所述应力释放结构的表层位于该所述绝缘层与所述第二金属层之间的任一层结构,或者所述应力释放结构的表层位于所述第二金属层;
当所述粘接孔贯穿所述第二金属层和位于该所述第二金属层与各所述扇出引线之间的各层结构时,所述应力释放结构的表层位于所述扇出引线与所述第二金属层之间的任一层结构,或者所述应力释放结构的表层位于所述第二金属层。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,各所述粘接孔的孔径为a,且满足30μm≤a≤150μm。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述反射层的面积为m,各所述粘接孔向所述衬底的正投影的总面积为n,且满足20%≤n/m≤40%。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,任一所述粘接孔向所述衬底的正投影的面积为p,位于该所述粘接孔内的所述应力释放结构向所述衬底的正投影的面积为q,且满足60%<q/p<100%。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,形成所述黏合剂的材料为玻璃粉。
9.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8之一所述的有机发光显示面板。
10.一种有机发光显示面板的制备方法,用于制备如权利要求1-8任一所述的有机发光显示面板,其特征在于,包括:
在盖板的表面形成黏合剂,且所述黏合剂沿所述盖板的边缘设置;
在阵列基板的非显示区形成反射层,且在所述反射层形成多个粘接孔,其中,所述阵列基板包括显示区和环绕所述显示区的所述非显示区;
在各所述粘接孔内形成应力释放结构;
将所述盖板和所述阵列基板相对设置,熔融所述黏合剂,将所述黏合剂粘接在所述反射层,并填充到各所述粘接孔与所述应力释放结构形成的空隙处,以封装所述阵列基板和所述盖板;
其中,所述有机发光显示面板包括驱动芯片,各所述扇出引线与所述驱动芯片电连接,所述驱动芯片用于为所述有机发光显示面板提供驱动信号,各所述扇出引线向所述阵列基板的衬底的正投影与所述反射层向所述阵列基板的衬底的正投影相交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的