[发明专利]珙桐冬芽快速繁殖的培养方法在审

专利信息
申请号: 201710765844.9 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107347651A 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 胡进耀;邹利娟;毛艳萍;蒋炜 申请(专利权)人: 绵阳师范学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 代理人: 李林合,李蕊
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 珙桐 快速 繁殖 培养 方法
【权利要求书】:

1.一种珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)采集1~2年生珙桐未萌发的冬芽为外植体材料;

(2)消毒灭菌;

将冬芽置于浓度为3~5g/mL的洗衣粉溶液中浸泡2~3min,修整冬芽,使其仅剩0.3~0.5cm的芽端,用75%乙醇浸泡10~30s,再用0.01%升汞溶液浸泡1~7min;或仅使用0.01%升汞溶液浸泡冬芽1~8min;

(3)冬芽初代培养

向WPM培养基中加入NAA、6-BA、GA3和AC,调节培养基pH值为5.8~6.0,于120~125℃灭菌20~25min,冷却至室温,备用;然后将步骤(2)中消毒后的冬芽接种至培养基中,于24±1℃、2000~2100lx条件下,光照8~10h/d,培养至冬芽萌发为带芽茎段;其中,NAA加入量为0~0.4mg/L、6-BA加入量为2.0~4.0mg/L、GA3加入量为0~2.0mg/L、AC加入量为1.0~1.5g/L;

(4)增殖培养

将步骤(3)所得产物接种至含有NAA、6-BA和AC的WPM培养基中,于24±1℃、2000~2100lx条件下,光照8~10h/d,增殖培养,得到珙桐苗;其中,WPM培养基中NAA加入量为0.2~0.6mg/L、6-BA加入量为1.0~4.0mg/L、AC加入量为0.5~1.5g/L;

(5)壮苗培养

用含有NAA、6-BA、GA3和AC的WPM培养基,于24±1℃、2000~2100lx条件下,光照8~10h/d,培育步骤(4)中所得珙桐苗;其中,NAA加入量为0.5~1.5mg/L、6-BA加入量为0.2~1.0mg/L、GA3加入量为0.5~1.5mg/L、AC加入量为0.5~1.5g/L;

(6)生根培养

选取步骤(5)中生长状态良好的珙桐苗,采用含有IBA、6-BA和AC的White培养基,于24±1℃、2000~2100lx条件下,光照8~10h/d,培养至生根;其中,IBA的加入量为2.0~4.0mg/L、6-BA的加入量为0~1.5mg/L、AC的加入量为0.5~1.5g/L;

(7)炼苗移栽

在生根培养后7~15d,对珙桐苗进行闭罐炼苗15~2d,遮阴度为50%~70%,再开罐炼苗3~7d,然后将珙桐苗移出,消毒灭菌,移栽至经消毒处理的基质中,浇足定根水,每5d喷施一次营养液;其中,基质为草炭、珍珠岩和蛭石的混合物,草炭、珍珠岩和蛭石重量比为1~2:0.5~1:0.5~1;

(8)移栽后按常规方法进行水肥管理,培育得到珙桐树苗。

2.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(3)中所述WPM培养基中NAA加入量为0.3mg/L、6-BA加入量为2.0mg/L、GA3加入量为2.0mg/L、AC加入量为1.5g/L。

3.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(4)中所述WPM培养基中NAA加入量为0.4mg/L、6-BA加入量为4.0mg/L、AC加入量为1.5g/L。

4.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(5)中用于壮苗培育的WPM培养基中NAA加入量为1.0mg/L、6-BA加入量为1.0mg/L、GA3加入量为1.0mg/L、AC加入量为1.0g/L。

5.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(6)中所述用于生根培育的White培养基中IBA的加入量为3.0mg/L、6-BA的加入量为1.0mg/L、AC的加入量为1.0g/L。

6.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(7)中所述基质中草炭、珍珠岩和蛭石的重量比为2:1:1。

7.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(7)中所述基质的消毒过程如下:

将基质置于0.1MPa的灭菌锅中,保持20~30min;或者采用5%的福尔马林或0.3%的硫酸铜溶液淋透基质,再以塑料布覆盖7d。

8.根据权利要求1所述的珙桐冬芽快速繁殖的培养方法,其特征在于,步骤(7)中珙桐苗的消毒过程如下:

采用0.1%~0.3%的高锰酸钾溶液或500倍多灵菌溶液清洗珙桐苗2~3次。

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