[发明专利]用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供具有部分填充有钨的特征的衬底；

将所述衬底暴露于由一种或多种处理气体产生的基于氟和基于氮的连续波(CW)等离子体；以及

将所述衬底暴露于由所述一种或多种处理气体产生的脉冲等离子体，其中通过暴露于所述连续波等离子体和所述脉冲等离子体，从所述特征的顶部优先蚀刻钨。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底暴露于连续波等离子体以及将所述衬底暴露于脉冲等离子体，包括：使用以连续波模式操作的电源在等离子体处理室中点燃等离子体并且从所述连续波模式转换到脉冲模式，同时将所述等离子体保持在所述等离子体处理室中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底暴露于所述连续波等离子体持续第一持续时间并暴露于所述脉冲等离子体持续第二持续时间，其中所述第一持续时间长于所述第二持续时间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一持续时间是所述第二持续时间的至少两倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述特征中沉积钨以用钨完全填充所述特征。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述特征中沉积钨期间没有成核延迟以完全用钨填充所述特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其还包括在将所述衬底暴露于所述脉冲等离子体之后，将所述衬底暴露于不含氟含氮的等离子体以抑制钨成核。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述不含氟含氮的等离子体是远程产生的等离子体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述连续波等离子体和所述脉冲等离子体是电容耦合的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述连续波等离子体和所述脉冲等离子体是感应耦合的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述连续波等离子体和所述脉冲等离子体在远程等离子体发生器中产生。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述连续波等离子体和所述脉冲等离子体在容纳所述衬底的室中产生。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述脉冲等离子体的占空比不大于50％。

14.一种方法，其包括：

将衬底上的含金属膜的第一层暴露于由包含碳和氮中的一种或多种的卤素蚀刻物气体产生的连续波(CW)等离子体，以蚀刻所述含金属膜的所述第一层的第一部分；

在蚀刻所述第一部分之后，将所述含金属膜的所述第一层暴露于由所述卤素蚀刻物气体产生的脉冲等离子体，以蚀刻所述含金属膜的所述第一层的第二部分；和

在蚀刻所述第二部分之后，在所述衬底上沉积所述含金属膜的第二层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一层暴露于所述连续波等离子体持续第一持续时间并暴露于所述脉冲等离子体持续第二持续时间，其中所述第一持续时间长于所述第二持续时间。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一持续时间是所述第二持续时间的至少两倍。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述卤素蚀刻物气体是NF₃。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述含金属膜的所述第一层部分地填充所述衬底上的特征。

19.根据权利要求18所述的方法，其中蚀刻所述第一层的所述第一部分和第二部分包括优先蚀刻在所述特征的顶部处的所述第一层。