[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及存储介质

权利要求书

1.衬底处理装置，所述衬底处理装置具有：

一频率处理室，所述一频率处理室设置于处理组件内，并对形成有绝缘膜的衬底进行处理；

二频率处理室，所述二频率处理室在所述处理组件内与所述一频率处理室相邻，并对经所述一频率处理室处理后的衬底进行处理；

气体供给部，所述气体供给部将至少包含硅和杂质的含硅气体分别供给至所述一频率处理室和所述二频率处理室；

等离子体生成部，所述等离子体生成部分别连接于所述一频率处理室和所述二频率处理室；

离子控制部，所述离子控制部连接于所述二频率处理室；

衬底搬送部，所述衬底搬送部设置于所述处理组件内，并在所述一频率处理室与所述二频率处理室之间搬送衬底；和

控制部，所述控制部至少对所述气体供给部、所述等离子体生成部、所述离子控制部和所述衬底搬送部进行控制，

所述一频率处理室设置有多个，

第一所述一频率处理室设置在从所述二频率处理室进行观察而言的所述衬底的移动方向的上游，进而，第二所述一频率处理室设置在从所述二频率处理室进行观察而言的所述衬底的移动方向的下游。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述衬底搬送部具有旋转轴、和将多个所述衬底呈圆周状载置的旋转托盘。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述离子控制部具有低频电源，所述控制部以将脉冲状的低频电力供给至所述二频率处理室的方式对所述低频电源进行控制。

4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述二频率处理室连接有供给氩的辅助气体供给部。

5.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述二频率处理室连接有供给氩的辅助气体供给部。

6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述离子控制部具有低频电源，所述控制部以将脉冲状的低频电力供给至所述二频率处理室的方式对所述低频电源进行控制。

7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述二频率处理室连接有供给氩的辅助气体供给部。

8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述二频率处理室连接有供给氩的辅助气体供给部。

9.半导体器件的制造方法，其包括下述工序：

将形成有绝缘膜的衬底搬送至一频率处理室的工序，所述一频率处理室设置于处理组件内；

将至少包含硅和杂质的含硅气体供给至所述一频率处理室，并且等离子体生成部向所述一频率处理室供给高频电力，在所述绝缘膜上形成第一氮化硅层的工序；

利用衬底搬送部将所述衬底搬送至二频率处理室的工序，所述衬底搬送部设置于所述处理组件内，并在所述一频率处理室与所述二频率处理室之间搬送衬底，所述二频率处理室在所述处理组件内与所述一频率处理室相邻；和

将所述含硅气体供给至所述二频率处理室，并且所述等离子体生成部向所述二频率处理室供给高频电力，离子控制部供给低频电力，在所述第一氮化硅层上形成比所述第一氮化硅层应力低的第二氮化硅层的工序，

所述一频率处理室设置有多个，将在设置在从所述二频率处理室进行观察而言的所述衬底的移动方向的上游的第一所述一频率处理室进行了处理后的所述衬底搬入所述二频率处理室，然后，将在所述二频率处理室进行了处理后的所述衬底搬送至设置在从所述二频率处理室进行观察而言的所述衬底的移动方向的下游的第二所述一频率处理室。

10.存储介质，存储有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序，所述步骤为：

将形成有绝缘膜的衬底搬送至一频率处理室的步骤，所述一频率处理室设置于处理组件内；

将至少包含硅和杂质的含硅气体供给至所述一频率处理室，并且等离子体生成部向所述一频率处理室供给高频电力，在所述绝缘膜上形成第一氮化硅层的步骤；

利用衬底搬送部将所述衬底搬送至二频率处理室的步骤，所述衬底搬送部设置于所述处理组件内，并在所述一频率处理室与所述二频率处理室之间搬送衬底，所述二频率处理室在所述处理组件内与所述一频率处理室相邻；和

将所述含硅气体供给至所述二频率处理室，并且所述等离子体生成部向所述二频率处理室供给高频电力，离子控制部供给低频电力，在所述第一氮化硅层上形成比所述第一氮化硅层应力低的第二氮化硅层的步骤，

其中，所述一频率处理室设置有多个，将在设置于从所述二频率处理室进行观察而言的所述衬底的移动方向的上游的第一所述一频率处理室进行了处理后的所述衬底搬入所述二频率处理室，然后，将在所述二频率处理室进行了处理后的所述衬底搬送至设置于从所述二频率处理室进行观察而言的所述衬底的移动方向的下游的第二所述一频率处理室。