[发明专利]一种柔性衬底、柔性OLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201710767108.7 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107527998B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 衬底 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性衬底,其特征在于,所述柔性衬底包括:
聚酰亚胺层和金属氧化物绝缘层;
所述金属氧化物绝缘层覆盖在所述聚酰亚胺层上,用于阻隔所述聚酰亚胺层在退火时产生的气体和/或水透过,
其中,所述金属氧化物绝缘层的材料包括氧化铜。
2.根据权利要求1所述的柔性衬底,其特征在于,
所述金属氧化物绝缘层的厚度为50-100nm。
3.根据权利要求1所述的柔性衬底,其特征在于,
所述金属氧化物绝缘层采用物理气相沉积技术形成。
4.一种柔性OLED器件,包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的阵列基板,其特征在于,所述柔性衬底包括:
聚酰亚胺层;
金属氧化物绝缘层,覆盖在所述聚酰亚胺层上,用于阻隔所述聚酰亚胺层在退火时产生的气体和/或水透过,
其中,所述金属氧化物绝缘层的材料包括氧化铜。
5.根据权利要求4所述的柔性OLED器件,其特征在于,
所述金属氧化物绝缘层的厚度为50-100nm。
6.根据权利要求4所述的柔性OLED器件,其特征在于,
所述金属氧化物绝缘层采用物理气相沉积技术形成。
7.根据权利要求4所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述阵列基板包括:
薄膜晶体管背板层,设置在所述金属氧化物绝缘层上;
第一电极层,设置在所述薄膜晶体管背板层上;
像素界定层,设置在所述薄膜晶体管背板层上,且所述像素界定层对应所述第一电极层的位置形成有开口,所述第一电极层从所述开口内露出;
发光层,设置在所述像素界定层的所述开口区域内;
第二电极层,设置在所述发光层上。
8.一种柔性OLED器件的制备方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成聚酰亚胺层;
在所述聚酰亚胺层上覆盖金属氧化物绝缘层;
在所述金属氧化物绝缘层上形成薄膜晶体管背板层;
在所述薄膜晶体管背板层上形成第一电极层;
在所述薄膜晶体管背板层上形成像素界定层,并在所述像素界定层对应所述第一电极层的位置形成开口,所述第一电极层从所述开口内露出;
在所述像素界定层的所述开口区域内形成发光层;
在所述发光层上形成第二电极层;
将所述基板与所述聚酰亚胺层剥离,进而得到所述柔性OLED器件,
其中,所述金属氧化物绝缘层的材料包括氧化铜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710767108.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择