[发明专利]一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法

权利要求书

1.一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法，其特征在于，所述阻变存储器包括依次排列的活性电极、氧化物层以及惰性电极，包括如下步骤：

S1对所述阻变存储器施加正向电压，在所述阻变存储器中形成由所述活性电极指向所述惰性电极电场；促使氧离子向活性电极的移动，在氧化物层中产生部分带电的氧空位；

S2对所述阻变存储器施加反向电压，在所述阻变存储器中形成由所述惰性电极指向所述活性电极电场；促使电子跃过活性电极的界面势垒，中和氧化物层中的带电氧空位，在靠近活性电极与氧化物层界面的氧化物层形成中性氧空位，实现中性氧空位积累；

S3判断所述阻变存储器的电流是否出现跃迁，若是，在所述氧化物层中形成导电丝，电形成过程完成，否则进入步骤S1；

其中，所述正向电压小于正常形成电压，所述正向电压大于所述反向电压；所述正常形成电压通过向阻变存储器施加电压在阻变存储器中形成由活性电极指向惰性电极电场使得阻变存储器软击穿获得。

2.如权利要求1所述的电形成方法，其特征在于，所述步骤S1中对所述阻变存储器施加所述正向电压通过对所述活性电极施加正电压同时使所述惰性电极接地实现或通过对所述惰性电极施加负电压同时使所述活性电极接地实现。

3.如权利要求1或2所述的电形成方法，其特征在于，所述步骤S2中对所述阻变存储器施加所述反向电压通过对所述活性电极施加负电压同时使所述惰性电极接地实现或通过对所述惰性电极施加正电压同时使所述活性电极接地实现。

4.如权利要求1或2所述的电形成方法，其特征在于，所述阻变存储器为没有进行过任何电学测试的阻变存储器，且所述阻变存储器的电阻是制备后的初始状态电阻。

5.如权利要求1或2所述的电形成方法，其特征在于，所述反向电压根据阻变存储器的材料以及制备工艺确定。

6.如权利要求1或2所述的电形成方法，其特征在于，在所述阻变存储器电形成过程中，所述阻变存储器两极电压波形为交流形式电压波形。