[发明专利]控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法及装置

权利要求书

1.一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，包括以下步骤：

将气相二氧化硅加入到脱酸炉内，对靠近出料口处的所述脱酸炉内的不同区域进行实时监测，并按照所述脱酸炉内监测到的温度不同，进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和所述无料区的温度之间的区域为虚料区；

分别对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测；

通过控制所述料位的高度，来调整所述实料区、虚料区和无料区内的温度，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃，来达到所述料位的平衡；

其中,在对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测时，通过反复的对所述脱酸炉内加料或出料的控制，来记录所述脱酸炉内所述实料区和无料区的温度变化，并分别记录所述实料区和无料区的温度在变化中的最高温度和最低温度，其中，最高温度为所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，最低温度为所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；

将实时监测到的实料区、虚料区和无料区内的温度与所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断所述料位的高度是否在料位平衡位置，并向所述脱酸炉内加料或减料，进而调整所述料位的位置，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃。

2.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，当所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止加料和加快出料，来降低所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度下降。

3.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，当所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止出料和快速加料，来提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。

4.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，当所述实料区和虚料区内的温度的数值均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，通过停止加料和缓慢出料，来缓慢降低所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度降低。

5.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，通过停止出料和缓慢加料，来缓慢提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。