[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

技术领域

本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。

背景技术

通常可以在整片半导体晶片上制造半导体装置和集成电路。在晶片层级工艺中，针对晶片中的管芯进行加工处理，并且可以将管芯与其他的半导体元件(例如，天线)一起封装。目前各方正努力开发适用于晶片级封装的不同技术。

发明内容

本发明实施例提供一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1H是根据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中的各阶段的示意性剖视图。

图2A至图2N是根据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中的各阶段的示意性剖视图。

图3是说明图2B所绘示层间穿孔壁与第二重布线层之间的相对位置的示意性俯视图。

图4是说明图2M所绘示层间穿孔壁与第二金属图案之间的相对位置的示意性俯视图。

图5是说明根据一些本发明实施例的层间穿孔壁与第二金属图案之间的相对位置的示意性俯视图。

图6是说明根据一些本发明实施例的接地平面部分的示意性俯视图。

[符号的说明]

10、20：封装结构；

112、212：载体；

114、214：剥离层；

116：介电层；

120：层间穿孔；

130、230、230a、230b：模制化合物；

140：第一重布线层；

142、242：聚合物介电层；

144、244：金属层；

150：球下金属(UBM)图案；

152：连接垫；

160：导电元件；

170：管芯；

170a：有源表面；

170b：垫；

170c：钝化层；

170d：导电柱；

170e：保护层；

180：顶盖层；

180a：顶盖层的表面/第一侧；

180b：顶盖层的表面/第二侧；

181：粘合剂层；

182：第一金属图案；

184：第二金属图案；