[发明专利]一种三维闪存及其制作方法

权利要求书

1.一种三维闪存制作方法，其特征在于，包括：

A：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括衬底、位于所述衬底上的第一膜层和位于所述第一膜层背离所述衬底表面的多个第二膜层，其中，多个所述第二膜层厚度相同为a，所述第一膜层的厚度为b，其中，b＝N×a，N>1；

B：形成掩膜板，所述掩膜板位置和大小与所述第一膜层待形成图案的掩膜板的位置和大小相同；

C：进行第一刻蚀，刻蚀深度为M×a，M≥INT(N)+1，其中，INT(x)为取整函数，指不超过实数x的最大整数；

D：将所述掩膜板的边缘修整缩小一个台阶的宽度；

E：进行第二刻蚀，刻蚀深度为a；

重复步骤D和步骤E，直至所述第一膜层被刻蚀完。

2.根据权利要求1所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀的刻蚀深度为INT(N)+1。

3.根据权利要求1所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述第一膜层包括第一子膜层和第二子膜层，所述第一子膜层位于所述第二子膜层和所述衬底之间。

4.根据权利要求3所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述第一子膜层为SiN层或多晶硅层，所述第二子膜层为氧化层。

5.根据权利要求4所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述第二膜层包括第三子膜层和第四子膜层，所述第三子膜层位于第四子膜层朝向衬底的一侧。

6.根据权利要求5所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述第三子膜层为SiN层或多晶硅层，所述第四子膜层为氧化层。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述掩膜板的材质为光阻。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的三维闪存制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。

9.一种三维闪存，其特征在于，采用权利要求1-8任意一项所述的三维闪存制作方法制作形成；

所述三维闪存包括衬底和位于所述衬底上的多个台阶层；

多个台阶层包括位于衬底表面的第一膜层图案和位于所述第一膜层图案背离所述衬底方向依次设置的多个台阶膜层；

所述第一膜层图案的厚度大于一层所述台阶膜层的厚度。

10.根据权利要求9所述的三维闪存，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述台阶层包括靠近所述衬底的SiN层或多晶硅层和远离所述衬底的氧化层。