[发明专利]一种应用于开关电源的可配置过温保护电路有效

专利信息
申请号: 201710771925.X 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107732870B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 宋奎鑫;莫艳图;孔瀛;姜爽;喻贤坤;李卓;王佳;王莉;穆辛;徐小倩;彭斌;樊旭;刘松林;王潇潇;王艳翔;毛鹤莉 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04;H02H7/12
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 张辉
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 开关电源 配置 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于开关电源的可配置过温保护电路,其特征在于:包括偏置电路、过温检测模块和修调电路;

偏置电路在电源电压作用下,得到一个与电源电压无关的偏置电流,输出给过温检测模块,所述电源电压为开关电源的工作电压;

修调电路接收电源电压和外部输入的修调电压,根据修调电压获得修调信号,输出给过温检测模块;

过温检测模块接收电源电压、偏置电路输出的偏置电流和修调电路输出的修调信号,根据所述电源电压和偏置电路输出的偏置电流,向开关电源驱动模块输出高电平或低电平的过温保护信号;根据所述修调信号,调整过温检测模块中检测电阻的大小,从而调整过温点;当环境温度超过过温点时,输出给开关电源驱动模块的过温保护信号发生状态翻转,从而关断开关电源电路;

所述偏置电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M15、NMOS管M16、NMOS管M17、电阻R1、电阻R2以及电阻R3;

PMOS管M1、PMOS管M3、PMOS管M5的源极均连接电源电压VDD,PMOS管M1的漏极连接PMOS管M2的源极,PMOS管M3的漏极连接PMOS管M4的源极,PMOS管M5的漏极连接PMOS管M6的源极,PMOS管M6的栅极和漏极连接;

PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6的栅极连接后作为偏置电路的输出端;

PMOS管M2的漏极同时连接电阻R1的一端和NMOS管M16的栅极,PMOS管M4的漏极同时连接NMOS管M16的漏极和NMOS管M17的栅极,电阻R1的另一端同时连接NMOS管M15的漏极和栅极,电阻R2的一端同时连接NMOS管M15的源极和NMOS管M16的源极,电阻R2另一端接地;PMOS管M6的漏极与NMOS管M17的漏极连接,NMOS管M17的源极通过电阻R3接地。

2.根据权利要求1所述的一种应用于开关电源的可配置过温保护电路,其特征在于:所述过温检测模块包括PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M18、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M19、NMOS管M20、NPN管N1、电阻R4、电阻R5以及可调电阻串RS;

PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9和PMOS管M10的栅极均与偏置电路的输出端连接,PMOS管M7、PMOS管M9、PMOS管M11和PMOS管M18的源极均连接电源电压VDD,PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的源极连接,PMOS管M9的漏极与PMOS管M10的源极连接,PMOS管M8的漏极同时连接电阻R4的一端和NPN管N1的基极,电阻R4的另一端连接可调电阻串RS的一端,可调电阻串RS的另一端同时连接NMOS管M20的漏极和电阻R5的一端,NMOS管M20的源极和电阻R5的另一端接地;NPN管N1的集电极连接PMOS管M10的漏极,NPN管N1的发射极接地;PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13和NMOS管M14的栅极相连接后,与PMOS管M10的漏极连接,PMOS管M12的源极连接PMOS管M11的漏极,NMOS管M13的源极连接NMOS管M14的漏极,NMOS管M14的源极接地,PMOS管M12和NMOS管M13的漏极连接后作为过温检测模块的输出端OTP;PMOS管M18的栅极和NMOS管M19的栅极均连接至过温检测模块的输出端OTP,PMOS管M18的漏极和NMOS管M19的漏极同时连接NMOS管M20的栅极连接,NMOS管M19的源极接地。

3.根据权利要求2所述的一种应用于开关电源的可配置过温保护电路,其特征在于:所述可调电阻串RS包括m组子电阻模块,各组子电阻模块组成均相同,第i组子电阻模块包括NMOS管M2i以及电阻R2i,NMOS管M2i的栅极连接修调电路的修调信号,电阻R2i连接在NMOS管M2i的漏极和源极之间,NMOS管M21的漏极和NMOS管M2m的源极作为可调电阻串RS的两端,当i>1时,NMOS管M2i的漏极同时连接NMOS管M2(i-1)的源极,i=1,2,……,m。

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