[发明专利]一种多晶硅薄膜的沉积方法有效
| 申请号： | 201710772326.X | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107488836B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 郭帅;吴俊;王家友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/455;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜 气体流量 喷嘴 沉积 均匀性 晶片 反应气体 依次增大 消耗 垂直管式炉 顶部晶片 流动过程 氢气 最顶部 最顶端 分压 硅烷 流动 | ||
1.一种多晶硅薄膜的沉积方法，采用垂直管式炉以硅烷为反应气体进行多晶硅薄膜的沉积，垂直管式炉中设置有自下至上依次排布的多个喷嘴，其特征在于，所述方法包括：沉积时最底部的喷嘴和最顶部喷嘴的气体流量基本相同且流量大于中部喷嘴的气体流量，中部喷嘴的气体流量自下至上依次增大；
对于最顶部喷嘴之外的其他喷嘴，从下至上相邻的喷嘴的气体流量之差依次增大；沉积时的压力值小于或等于0.08torr；垂直管式炉中自下至上设置有多个温度控制点，顶部两个温度控制点的实际温度低于其他温度控制点的实际温度，且自下至上温度控制点的实际温度依次减小。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷嘴为5个，自下至上分别为第一喷嘴至第五喷嘴，第一喷嘴的气体流量范围为0.057-0.062slm，第二喷嘴的气体流量范围为0.014-0.018slm，第三喷嘴的气体流量范围为0.042-0.047slm，第四喷嘴的气体流量范围为0.048-0.052slm，第五喷嘴的气体流量范围为0.058-0.062slm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沉积时的压力值范围为0.06-0.08torr。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述温度控制点为5个，且其他温度控制点与中间温度控制点的实际温度之差小于2℃，其他温度控制点为中间温度控制点之外的温度控制点。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，多晶硅薄膜的目标沉积厚度大于1500埃。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
