[发明专利]一种沟道孔的检测方法

权利要求书

1.一种沟道孔的检测方法，其特征在于，该方法应用于3D NAND存储器的制造过程中，包括：

提供测试晶片，所述测试晶片包括衬底、所述衬底上的堆叠层以及所述堆叠层中的沟道孔；所述堆叠层由氮化硅层与氧化硅层交替层叠而成；

在所述沟道孔中形成填充层；

去除部分厚度的所述堆叠层以及所述填充层，使得所述填充层与所述堆叠层的表面齐平，以获得所述堆叠层中的检测层；

进行所述检测层中的沟道孔的测量；

所述去除部分厚度的所述堆叠层以及所述填充层，包括：

刻蚀去除部分厚度的所述堆叠层；通过机械化学平坦化工艺，进行所述填充层的平坦化；

则所述检测层为所述平坦化工艺之后暴露的堆叠层及沟道孔的上表面，暴露的堆叠层为所述堆叠层中任一氮化硅层或氧化硅层；

所述进行所述检测层中的沟道孔的测量包括：

进行所述检测层中填充层的测量。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述进行所述检测层中的沟道孔的测量，包括：

通过电子扫描显微镜，获得所述检测层的图像；

对所述图像进行测量，以获得所述沟道孔的测量数据。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述测量数据包括沟道孔的半径。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，依次多次执行去除部分厚度的所述堆叠层以及所述填充层和进行所述检测层中沟道孔的测量的步骤，以获得多个检测层以及进行多个检测层中的沟道孔的测量。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，该方法还包括：

将同一个沟道孔在不同检测层的测试数据进行比较，获得比较结果；

若所述比较结果超过预设阈值范围，则所述沟道孔不合格。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，形成所述沟道孔的孔掩膜版为3DNAND存储器制造工艺中用于形成沟道孔的掩膜版。

7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述沟道孔位于衬底不同区域中。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述不同区域包括中心区域以及衬底的边缘区域。

9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述沟道孔中形成填充层之后，该方法还包括：

进行顶层沟道孔的测量。

10.根据权利要求1或4或9所述的检测方法，其特征在于，进行检测层上沟道孔的测量之后，该方法还包括：

比较所述测量数据与所述检测层对应位置的预设数据，获得比较结果；所述预设数据包括预设沟道孔半径；所述比较结果包括差值和/或比值；

若所述比较结果超出所述检测层对应位置的预设阈值范围，则沟道孔不合格。