[发明专利]一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器沟道的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有叠层结构；所述叠层结构包括多个沟槽以及多层交错堆叠的第一介质层和牺牲层，所述牺牲层位于相邻的第一介质层之间，所述沟槽贯穿多层所述第一介质层和牺牲层，并暴露出所述衬底表面；

在所述沟槽中形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述沟槽及所述叠层结构表面，且具有容纳空腔；

在所述容纳空腔中沉积二氧化硅层，形成第一二氧化硅层，并在所述第一二氧化硅层表面沉积二氧化硅层，形成第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的沉积温度大于所述第一二氧化硅层的沉积温度；

对所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层进行刻蚀，使所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层的表面高度小于所述叠层结构的高度；

对所述多晶硅层进行处理，以使所述多晶硅层包围所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述容纳空腔中沉积二氧化硅层，形成第一二氧化硅层，并在所述第一二氧化硅层表面沉积二氧化硅层，形成第二二氧化硅层包括：

控制沉积温度为第一预设温度，在所述容纳空腔中沉积二氧化硅层，形成第一二氧化硅层；

将所述沉积温度提升为第二预设温度，在所述第一二氧化硅层表面沉积二氧化硅层，形成第二二氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二预设温度与所述第一预设温度的差值大于或等于50℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述多晶硅层进行处理，以使所述多晶硅层包围所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层包括：

在所述第二二氧化硅层表面沉积多晶硅层；

利用化学机械研磨工艺去除位于所述叠层结构表面的多晶硅层，并使所述多晶硅层与所述叠层结构表面齐平。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅层的沉积工艺为原子沉积法。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层为氮化硅层；

所述第一介质层为氧化硅层。

7.一种三维存储器，包括：衬底，所述衬底的第一表面具有共用源线和多个掺杂区；位于所述衬底第一表面平行排列的多个沟道和堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述沟道两侧的多层金属栅、多层第一介质层和多层存储介质层，多层所述金属栅和第一介质层交替堆叠设置，所述存储介质层位于所述金属栅和所述沟道之间，且与所述衬底第一表面接触；位于所述沟道背离所述衬底一端表面的接触孔，所述接触孔用于连接位线和字线；其特征在于，所述沟道采用权利要求1-6任一项所述的三维存储器沟道的制备方法进行制备，所述沟道包括：

位于所述衬底表面的多晶硅层、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层；所述多晶硅层包围所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于所述第一二氧化硅层背离所述衬底一侧；

所述第二二氧化硅层的沉积温度大于所述第一二氧化硅层的沉积温度。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述存储介质层包括：位于所述多层第一介质层表面的第一氧化物层、位于所述第一氧化物层表面的第一氮化物层和位于所述第一氮化物层表面的第二氧化物层。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一氧化物层为氧化硅层；

所述第一氮化物层为氮化硅层；

所述第二氧化物层为氧化硅层或氧化铝层或氧化铪层。