[发明专利]一种自对准双图案化方法在审
| 申请号： | 201710773871.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107564804A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 邵克坚;乐陶然;陈世平;张彪;程强;梁玲;刘欢;郭玉芳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 党丽,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 图案 方法 | ||
1.一种自对准双图案化方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上依次形成有第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第二防反射层以及图案化的光阻层；
对所述光阻层进行修整；
以所述光阻层为掩蔽，干法刻蚀所述第二防反射层，而后，进行第二防反射层的修整；
以第二防反射层为掩蔽，干法刻蚀所述第二硬掩膜层，并去除所述光阻层；
在所述第二硬掩膜的侧壁形成侧墙；
以所述侧墙为掩蔽，干法刻蚀所述第一硬掩膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行第二防反射层的修整包括：
采用刻蚀气体进行第二防反射层的各项同性刻蚀，以修整第二防反射层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层为无定型碳，所述第二防反射层为SiON，刻蚀气体为含氟气体。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀气体进行第二防反射层的各向同性刻蚀，包括：刻蚀工艺中的温度范围为20-30℃，压力范围为15-30mtorr，刻蚀气体为CF4、流量范围为50-100sccm，电源功率为550W。
5.根据权要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层上形成有第一防反射层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀所述第二硬掩膜层的步骤中，刻蚀所述第二硬掩膜层的同时，刻蚀去除所述光阻层。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，第一防反射层和第二防反射层为相同的材料，第一防反射层的厚度大于第二防反射层的厚度，所述在所述第二硬掩膜层的侧壁形成侧墙，以及以所述侧墙为掩蔽，干法刻蚀所述第一硬掩膜层，包括：
沉积侧墙材料；
进行侧墙材料的干法刻蚀，以在第二硬掩膜层的侧壁形成侧墙，以及通过干法刻蚀，去除第二防反射层和第二硬掩膜层，同时过刻蚀部分第一防反射层；
以所述侧墙为掩蔽，干法刻蚀所述第一防反射层和第一硬掩膜层。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层为无定型碳，所述第一防反射层和第二防反射层为SiON。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
以第一硬掩膜层为掩蔽，进行待刻蚀层的刻蚀。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀层为介质层，所述进行待刻蚀层的刻蚀包括：在待刻蚀层中形成金属线槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710773871.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
