[发明专利]一种3D NAND存储器件的金属栅极及其制备方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅/氮化硅层交替层叠结构以及贯穿所述层叠结构的栅线缝隙；

采用第一刻蚀溶液通过所述栅线缝隙刻蚀层叠结构中每层氮化硅层的部分氮化硅以及与所述部分氮化硅直接相邻的部分氧化硅，直至刻蚀到预设位置；所述预设位置为层叠结构中氮化硅层内与所述栅线缝隙的侧壁具有预设距离的位置；

采用第二刻蚀溶液刻蚀层叠结构中每层氮化硅层剩余的氮化硅；

向刻蚀后的层叠结构的镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀溶液为第一磷酸溶液，所述第二刻蚀溶液为第二磷酸溶液，所述第一磷酸溶液的氮化硅对氧化硅的选择比小于所述第二磷酸溶液的氮化硅对氧化硅的选择比。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一磷酸溶液的氮化硅对氧化硅的选择比为10：1至100:1之间的比例，所述第二磷酸溶液的氮化硅对氧化硅的选择比大于300。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用第二刻蚀溶液刻蚀层叠结构中每层氮化硅层剩余的氮化硅之后，所述向刻蚀后的层叠结构的镂空区域填充金属介质，形成金属栅极之前，还包括：

去除氮化硅层刻蚀过程中产生的副产物二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述去除氮化硅层刻蚀过程中产生的副产物二氧化硅，具体包括：

采用湿法刻蚀工艺去除氮化硅层刻蚀过程中产生的副产物二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述向刻蚀后的层叠结构的镂空区域填充金属介质，形成金属栅极，具体包括：

通过原子层沉积的方式向刻蚀后的层叠结构的镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属介质为金属钨。