[发明专利]半导体结构的测试载具及测试方法

权利要求书

1.一种半导体结构的测试载具，其特征在于，所述测试载具用于劈裂试片的扫描电镜测试，所述劈裂试片上具有测试结构，所述测试载具包括一载具主体，所述载具主体中设置有一V形限位槽，所述劈裂试片包括垂直相交的第一劈裂面与第二劈裂面，所述限位槽具有与所述第一劈裂面与所述第二劈裂面完全配合设置的第一支撑面和第二支撑面，所述第一支撑面与所述扫描电镜的观测方向之间的夹角为α，所述第一劈裂面与所述测试结构之间的夹角为θ，所述θ与所述α相等或近似相等，使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的测试载具，其特征在于：所述第一劈裂面与所述测试结构之间的夹角为0＜θ≤45°。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的测试载具，其特征在于：所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者偏离的角度不大于5°。

4.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一具有测试结构的劈裂试片；

2)依据所述劈裂试片的测试结构的纹理方向与劈裂试片的劈裂面之间的夹角，选择一如权利要求1所述的半导体结构的测试载具，并将所述劈裂试片固定于所述测试载具上；

3)将所述测试载具及所述劈裂试片置于所述扫描电镜的样品台上，并从所述劈裂试片的侧面对所述测试结构进行观测，其中，所述测试载具使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：所述测试结构的表征包含半导体结构的线宽、线间距及形貌的其中之一或上述组合。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：所述测试结构的构成选自于直线型的金属、多晶硅、硬掩膜及光刻胶所组成群组中的一种或多种所形成的叠层。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：步骤3)中，当所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者产生偏离角度，则还包括步骤：微调所述扫描电镜的样品台的倾斜角度，以调整所述劈裂试片的测试结构与所述扫描电镜的观测方向之间的误差角度，使得所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行的判别方法为：所述扫描电镜的观测图像中，仅能观测到所述测试结构的截面图案，而完全观测不到所述测试结构的侧壁图案。

9.根据权利要求4～8任意一项所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：步骤3)中，所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行时，基于所述测试结构的观测图像直接获得所述半导体结构的线宽、线间距及形貌。