[发明专利]晶圆、半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及晶圆、半导体封装件及其制造方法。

背景技术

在半导体封装领域中，诸如低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)芯片及静电释放(Electro-Static discharge，ESD)保护芯片等类似的芯片需要在芯片与载板之间存在一定厚度的绝缘胶，例如厚度大于15um或大于20um的绝缘胶。现有的封装制程需要在半导体晶圆背面涂布绝缘胶再点胶甚至进行二次涂胶，无论哪一种封装制程均较为复杂，且均需要较高的封装成本。

因此，对于需要在芯片与载板之间存在一定厚度的绝缘胶层的封装体的封装制程，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决。

发明内容

本发明的目的之一在于提供晶圆、晶圆单元、半导体封装件及其制造方法，其可以简单的制程和工艺获得低成本高质量的半导体封装件。

本发明的一实施例提供一晶圆，其包括：正面；与正面相对的背面；粘结于该背面的绝缘胶层；以及UV(Ultraviolet，紫外线)膜，其包括基材和设置于基材上的粘性材料层，其中该粘性材料层粘结至绝缘胶层相对于该背面的表面。

在本发明的另一实施例中，该绝缘胶层是固化的。

本发明的另一实施例提供一晶圆单元，其包括：正面；与正面相对的背面；粘结于该背面的绝缘胶层；以及粘结至该绝缘胶层相对于背面的表面的粘性材料层。

本发明的又一实施例还提供一半导体封装件的制造方法，其包括：提供晶圆，该晶圆具有相对的正面与背面；在该晶圆的背面上涂布绝缘胶形成绝缘胶层；将该晶圆固定在UV膜上，其中UV膜包括基材和设置于基材上的粘性材料层，其中该UV膜通过粘性材料层粘结至该绝缘胶层相对于该背面的表面；将固定在UV膜上的晶圆切割为若干晶圆单元；以及对晶圆照射紫外线以使得该粘性材料层和该基材之间的粘性降低，然后吸取每一晶圆单元使其与基材分离。

在本发明的另一实施例中，将固定在该UV膜上的晶圆切割为若干晶圆单元时的切割深度达到55微米至65um微米的基材厚度。在本发明的又一实施例中，进一步包括将若干晶圆单元分别粘结至经加热的机台轨道上的导线框架或封装基板上。

本发明的又一实施例还提供通过上述半导体封装件的制造方法而制得的一半导体封装件。

本发明实施例提供的晶圆、晶圆单元、半导体封装件及其制造方法不仅具有制造成本低，还具有制造流程简单及生产效率高的优点。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的晶圆的俯视结构示意图

图2是经涂布绝缘胶层处理的晶圆的纵向剖面示意图

图3是贴UV膜处理的晶圆的纵向剖面示意图

图4是切割时的晶圆的纵向剖面示意图

图5是分离的晶圆单元的纵向剖面示意图

图6是根据本发明一实施例的制造半导体封装件的方法得到的半导体封装件的纵向剖面示意图

具体实施方式

为更好的理解本发明的精神，以下结合本发明的部分优选实施例对其作进一步说明。

为在芯片和导线框架或封装基板间实现一定厚度的绝缘胶，在一封装制程中，首先需要将晶圆减薄至所需厚度，在晶圆的背面涂布一层绝缘胶，待绝缘胶固化后将晶圆粘贴至蓝膜上且将晶圆切割成单颗晶体。随后在机台轨道的导线框架或封装基板上点涂绝缘胶，使用吸嘴吸取单颗晶体，即晶圆单元,并将其放置于机台轨道的导线框架或封装基板上，加热该导线框架或封装基板即可完成贴片。接着可完成焊线等后续封装制程。在另一种封装制程中，首先同样将晶圆减薄至所需厚度，在晶圆的背面涂布一层绝缘胶，固化绝缘胶后，需要再次在晶圆的背面涂布一层绝缘胶且进行半固化。将半固化好的晶圆粘贴至蓝膜上且将晶圆切割成单颗晶体。随后使用吸嘴吸取单颗晶体并将其放置于机台轨道的导线框架或封装基板，对该导线框架或封装基板加热完成贴片。类似的，接着可完成焊线等后续封装制程。

图1-6是根据本发明一实施例制造一半导体封装件100的方法的流程示意图。

其中图1是根据本发明一实施例的仅作减薄处理的晶圆10的俯视结构示意图。如图1所示，提供减薄至所需厚度的晶圆10，该晶圆10具有相对的正面101与背面103。

在晶圆10的背面103上涂布绝缘胶形成绝缘胶层105。该绝缘胶可为半导体封装制造领域中常用的绝缘胶，并无特别要求。接着，将涂布有绝缘胶层105的晶圆10进行固化从而得到图2所示的晶圆10。图2是经涂布绝缘胶层105处理的晶圆10的纵向剖面示意图。