[发明专利]一种减反射膜及其制备方法、一种光刻掩模板有效
| 申请号： | 201710775170.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107513697B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张高升;刘聪;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;G03F1/46;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减反射膜 反射光 光刻胶 掩模板 光刻 掩膜层 基底 制备 发射光波长 曝光图形 消光系数 光程差 上表面 下表面 反射 入射 申请 | ||
1.一种光刻掩模板，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上方的掩膜层；
位于所述掩膜层上方的SiON减反射膜；
位于所述SiON减反射膜上方的光刻胶；
所述SiON减反射膜的厚度能够使得所述SiON减反射膜上表面的反射光与下表面的反射光的光程差等于奇数个1/2发射光波长；
所述SiON减反射膜通过化学气相沉积工艺制备；其中，化学气相沉积工艺条件如下：
反应气体SiH4与N2O的流量比例在1:1～1:6之间；
反应压力为6±1Torr；
反应温度为400±30℃；
反应时间为：5～6秒。
2.根据权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述SiON减反射膜在光刻胶曝光光源波长下的消光系数在0.15～0.25之间。
3.根据权利要求2所述的光刻掩模板，其特征在于，所述SiON减反射膜在光刻胶曝光光源波长下的的消光系数为0.2。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光刻掩模板，其特征在于，所述SiON减反射膜的厚度在之间。
5.根据权利要求1-3任一项所述的光刻掩模板，其特征在于，所述光刻掩模板还包括：
设置在所述SiON减反射膜与所述光刻胶之间的氧化硅层。
6.根据权利要求1-3任一项所述的光刻掩模板，其特征在于，所述掩膜层为硬掩膜层。
7.根据权利要求6所述的光刻掩模板，其特征在于，所述硬掩膜层为无定型碳层。
8.根据权利要求1-3任一项所述的光刻掩模板，其特征在于，所述掩膜层包括第一掩膜层和位于所述第一掩膜层之上的第二掩膜层。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
