[发明专利]一种3DNAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法在审
| 申请号： | 201710775211.6 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107527795A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 贾彩艳;王家友;郁赛华;王秉国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 党丽,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 器件 缝隙 氧化物 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在采用六氟化钨的反应气体沉积钨栅线并进行回刻之后，进行所述氧化物的沉积，其特征在于，所述沉积方法包括：
将形成有钨栅线的衬底置于惰性气体环境中进行退火处理；
进行栅线缝隙氧化物的沉积。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述退火处理在炉管设备中进行。
3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气。
4.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在于，所述炉管内的氩气含量范围为10-25slm。
5.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，所述退火温度范围为650-700摄氏度。
6.根据权利要求5所述的沉积方法，其特征在于，所述退火时间的范围为100-120分钟。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的沉积方法，其特征在于，采用六氟化钨的反应气体沉积钨栅线的方法为化学气相沉积。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的沉积方法，其特征在于，进行栅线缝隙氧化物的沉积的方法为化学气相沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
