[发明专利]电容值测定方法和装置

说明书

本发明提供一种电容值测定方法和装置。电容值测定方法包括：获取第一映射关系；设定模数转换单元标准温度t0；控制打开开关单元包括的除第A开关元件之外的所有开关元件，控制闭合该第A开关元件，检测模数转换单元的实时模数转换单元温度t，检测一测试点的实时电容值Cn，根据该实时电容值和所述第一映射关系，得到在实时模数转换电路温度t下与第A开关元件连接的外部补偿检测线的寄生电容值；A为正整数。本发明能得到准确的外部补偿检测线的寄生电容值。

技术领域

本发明涉及电容值测定技术领域，尤其涉及一种电容值测定方法和装置。

背景技术

OLED(有机发光二极管)显示面板由于具有高对比度，低功耗和自发光等特点而成为各面板厂商争相开发的技术。因为TFT(薄膜晶体管)器件的不稳定性，现有的像素电路需要考虑TFT器件性能变化带来的影响，常采用3T1C补偿电路结构。

如图1所示，3T1C补偿电路包括开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T3、检测薄膜晶体管T2和存储电容Cst。在图1中，标号为OLED的为有机发光二极管，标号为DATA的为数据线，标号为Gate为栅线，标号为Sense的为外部补偿检测线，标号为Csense的为该外部补偿检测线的寄生电容，标号为ELVDD的为高电源电压，标号为ELVSS的为低电源电压。在检测阶段需要对floating(浮空)的外部补偿检测线充电，再通过模数转换单元检测该外部补偿检测线的电压，根据该电压计算流经驱动晶体管T3的电流大小，但是该计算需要运用该外部补偿检测线的寄生电容值。然而由于该外部补偿检测线是设置于显示面板上的，所以无法直接测定外部补偿检测线的寄生电容值，现有的间接测定的外部补偿检测线的电容值与该模数转换单元的寄生电容值相关，然而该模数转换单元的寄生电容值与该模数转换单元的温度有关，因此现有的外部补偿检测线的电容值测定方法不能得到准确的外部补偿检测线的寄生电容值。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容值测定方法和装置，解决现有的外部补偿检测线的电容值测定方法不能得到准确的外部补偿检测线的寄生电容值的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种电容值测定方法，用于检测显示装置包括的外部补偿检测线的寄生电容值；所述显示装置包括显示面板、电路板、N个模数转换单元、N个开关单元，以及，设置于所述显示面板上的M条所述外部补偿检测线；N和M都为正整数；第n开关单元与第n模数转换单元对应连接；所述第n开关单元包括至少一个开关元件；所述第n开关单元包括的一所述开关元件的第一端与一条所述外部补偿检测线连接，该开关元件的第二端与该第n模数转换单元连接；n为小于或等于N的正整数；所述电容值测定方法包括：

获取预先检测得到的所述第n模数转换单元的温度与该第n模数转换单元的寄生电容值的第一映射关系；

设定一模数转换单元标准温度t0；

控制打开所述第n开关单元包括的除第A开关元件之外的所有开关元件，控制闭合该第A开关元件，检测此时所述第n模数转换单元的实时模数转换单元温度t，并检测第n测试点的实时电容值Cn，根据该实时电容值Cn和所述第一映射关系，得到在所述实时模数转换单元温度t下与该第A开关元件连接的外部补偿检测线的寄生电容值CsA；所述第n模数转换单元和所述第n开关单元包括的各开关元件的第二端之间设置有连接线；所述第n测试点在该连接线上；A为正整数。

实施时，所述根据该实时电容值和所述第一映射关系，得到在所述实时模数转换单元温度t下与该第A开关元件连接的外部补偿检测线的寄生电容值CsA步骤包括：

根据所述第一映射关系，得到与模数转换电路单元温度t0对应的所述第n模数转换单元的第一寄生电容值Cad1，并得到与实时模数转换单元温度t对应的所述第n模数转换单元的第二寄生电容值与所述第一寄生电容值Cad1的差值ΔC1，确定在所述实时模数转换单元温度t下与该第A开关元件连接的外部补偿检测线的寄生电容值CsA等于Cn-Cad1-ΔC1。