[发明专利]一种NAND闪存装置的编程方法

权利要求书

1.一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区（HVPW），且该编程方法包括首先实施预充电步骤，其特征在于：在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和高压P型阱区（HVPW）实施预充电，其特征在于，在漏极、高压P型阱区（HVPW）和源极上共同实施预充电，上述漏极、源极以及高压P型阱区（HVPW）的预充电电压相同。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，所述预充电电压为电源电压Vcc。

3.根据权利要求1或2任一所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，通过串选择线（SSL）向漏极实施预充电。

4.根据权利要求1或2任一所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，通过接地选择线（GSL）向源极和高压P型阱区（HVPW）实施预充电。

5.根据权利要求1或2任一所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括全导通步骤和编程步骤。

6.根据权利要求5所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，在全导通步骤中，选定字线和导通字线上施加导通电压。

7.根据权利要求5所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，在编程步骤中，选定字线上施加编程电压，导通字线上施加导通电压，并且所述编程电压大于所述导通电压。