[发明专利]量子点AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法

说明书

一种量子点AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法，涉及白光LED显示与照明领域。量子点AAO曲面薄膜包括呈曲面或平面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内嵌有量子点纳米晶，该量子点AAO曲面薄膜能够将量子点封装其中，同时可提高量子点的散热效率；量子点AAO曲面薄膜的制备方法的工艺简单，可制得将量子点封装其中的曲面薄膜。量子点薄膜透镜包括呈帽形的透镜，以及上述的量子点AAO曲面薄膜，量子点AAO曲面薄膜贴合于透镜的内表面，该量子点薄膜透镜用于封装形成量子点转换白光LED。

技术领域

本发明涉及白光LED显示与照明领域，且特别涉及一种量子点 AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法。

背景技术

近年来，量子点材料逐渐受到重视，特别是量子点具有光谱随尺寸可调、发光半峰宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能，受到LED与LCD背光行业的广泛关注。目前商业化的显示照明用白光LED采用蓝光芯片激发黄色荧光粉进行混光得到，虽然通过高显色荧光粉掺杂能够得到较高显色指数Ra，但受到材料本身能级结构限制，发射谱太宽，单色性较差，尤其特殊显色指数 R9值难以大幅度提升，色域覆盖面积不宽。为此，引入量子点调节 LED的显色性能，是该类器件的未来发展方向。

量子点材料的可靠封装成为封装量子点转换白光LED过程中需要考虑的重要问题。基于on-chip方式的量子点转换白光LED不但封装简单，而且能够直接利用现有的大功率LED封装工艺，快速实现商业化，是目前该领域研究的主流。然而由于量子点材料的温度稳定性差，而且量子点材料进行光转换过程中光致发热较严重，量子点的自吸收使得其本身温度呈现不断升高的趋势，过高的温度一方面导致量子点发生热猝灭，另一方面使得光转换效率下降，形成恶性循环，严重影响器件的光学性能。

因此，需要一种能提高量子点材料的光-热稳定性，增强器件可靠性的封装方式。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点AAO曲面薄膜，其能够将量子点封装其中，同时可提高量子点的散热效率。

本发明的另一目的在于提供一种量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其工艺简单，可制得将量子点封装其中的曲面薄膜。

本发明的另一目的在于提供一种量子点薄膜透镜，其用于封装形成量子点转换白光LED。

本发明的另一目的在于提供一种量子点薄膜透镜的制备方法，其工艺简单。

本发明的另一目的在于提供一种量子点转换白光LED，其可靠性强。

本发明的另一目的在于提供一种量子点转换白光LED的封装方法，该方法简单，可靠性强。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提出一种量子点AAO曲面薄膜，其包括呈曲面或平面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内嵌有量子点纳米晶。

一种量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其包括以下步骤：

在外表面呈曲面的Al基板上生长形成多孔阵列阳极氧化铝薄膜，Al基板外表面的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径；

在多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内均匀嵌入量子点纳米晶。

进一步地，在本发明较佳实施例中，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的生长方法为：

取纯度≥99.999％的Al基板，去油、去氧化层、抛光，得到预处理后的Al基板；

将预处理后的Al基板进行两次阳极氧化，得到生长有氧化铝薄膜的Al基板；