[发明专利]一种晶圆切割方法有效
申请号: | 201710777281.5 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN109427565B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 黄涛 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/78;B28D5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 江西省南昌市高*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切割 方法 | ||
1.一种晶圆切割方法,其特征在于,所述晶圆切割方法中包括:
S1 提供待切割晶圆片,所述晶圆片中包括生长衬底和外延结构;
S2 沿晶圆片中切割槽中心线的两侧,从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底;
S3 沿晶圆片的切割槽中心线,从晶圆片正面进行切割至预设深度;
S4 沿切割槽中心线的切割切痕,从晶圆片背面对其进行劈裂,完成对晶圆片的切割,得到单颗管芯;
在步骤S2,沿晶圆片中切割槽中心线的两侧,从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底中,具体为:
沿晶圆片中切割槽中心线的两侧,从晶圆片正面使用第一预设功率的激光对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底;
在步骤S3,沿晶圆片的切割槽中心线,从晶圆片正面进行切割至预设深度中,具体为:
沿晶圆片的切割槽中心线,从晶圆片正面使用第二预设功率的激光进行切割至预设深度,所述第二预设功率大于第一预设功率。
2.如权利要求1所述的晶圆切割方法,其特征在于,所述第一预设功率的功率范围为1~4W。
3.如权利要求1或2所述的晶圆切割方法,其特征在于,在步骤S2中,沿切割槽中心线对称切割,且距离切割槽中心线预设距离进行切割。
4.如权利要求1所述的晶圆切割方法,其特征在于,所述第二预设功率的功率范围为4~10W。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶能光电(江西)有限公司,未经晶能光电(江西)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710777281.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种位于衬底上的finFET及其形成方法
- 下一篇:一种晶圆切割方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造