[发明专利]一种应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路在审
| 申请号： | 201710777373.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107395136A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 胡张;侯钧;杨阳;胡亮;杜云飞 | 申请（专利权）人： | 成都四威功率电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人： | 李蕊,何凡 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 氮化 砷化镓 功率放大器 保护 电路 | ||
1.一种应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，包括故障信号处理模块、输入欠压判断模块、控制信号输出模块和电源控制模块，所述故障信号处理模块和输入欠压判断模块分别与所述控制信号输出模块的输入端相连，所述控制信号输出模块的输出端与所述电源控制模块的输入端相连。
2.所述控制信号输出模块包括光耦IC3，所述电源控制模块包括场效应管Q1，所述场效应管Q1的源极分别与电源和电阻R6的一端相连，所述场效应管Q1的栅极作为输入端，分别与所述电阻R6的另一端和所述光耦IC3的集电极相连，所述场效应管Q1的漏极为输出端，所述光耦IC3的发射极接地，所述光耦IC3的阳极与CTRL信号相连，所述光耦IC3的阴极作为输入端分别与所述故障信号处理模块和输入欠压判断模块相连。
3.根据权利要求2所述的应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，所述故障信号处理模块包括二极管D1、二极管D2和二极管D3，所述二极管D1的正极与过流信号相连，所述二极管D2的正极与过温信号相连，所述二极管D3的正极与负压故障信号相连，所述二极管D1的负极、二极管D2的负极和二极管D3的负极均通过电阻R1与所述光耦IC3的阴极相连。
4.根据权利要求3所述的应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，所述负压故障信号的门限值为5V。
5.根据权利要求2所述的应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，所述光耦IC3的阳极与CTRL信号之间还连接有二极管D4，所述CTRL信号与二极管D4的正极相连，所述光耦IC3的阳极与二极管D4的负极相连，所述光耦IC3的阳极和阴极之间还连接有电阻R5。
6.根据权利要求2所述的应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，所述输入欠压判断模块包括一端与电源相连的电阻R2，所述电阻R2的另一端分别与电阻R3和芯片TL431BQDBZT的第2脚相连，所述电阻R3的另一端和芯片TL431BQDBZT的第3脚均接地，所述芯片TL431BQDBZT的第1脚通过电阻R4与所述光耦IC3的阴极相连。
7.根据权利要求2所述的应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，所述光耦IC3的发射极通过电阻R7接地。
8.根据权利要求2所述的应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路，其特征在于，所述场效应管Q1为P通道场效应管，所述电源的电压为28V。
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