[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，

具备层叠体和第1构造体；

上述层叠体包括第1层叠区域，该第1层叠区域包括：

第1选择栅极电极；

第2选择栅极电极，在第1方向上从上述第1选择栅极电极离开；

多个第1电极，设置在上述第1选择栅极电极与上述第2选择栅极电极之间，在上述第1方向上排列；

多个第2电极，设置在上述第2选择栅极电极与上述多个第1电极之间，在上述第1方向上排列；以及

多个第3电极，设置在上述多个第1电极与上述多个第2电极之间，在上述第1方向上排列，

上述多个第1电极的相邻的2个第1电极之间的第1间隔大于上述多个第3电极的相邻的2个第3电极之间的第3间隔，上述多个第2电极的相邻的2个第2电极之间的第2间隔大于上述第3间隔；

上述第1构造体包括：

第1半导体主体，在上述第1方向上延伸；

第1外侧膜，设置在上述第1半导体主体与上述第1层叠区域之间；

第1内侧膜，设置在上述第1半导体主体与上述第1外侧膜之间；以及

第1中间膜，设置在上述第1外侧膜与上述第1内侧膜之间。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

还具备第2构造体、第1导电层以及第2导电层；

上述层叠体还包括第3选择栅极电极，将上述第2选择栅极电极及上述第3选择栅极电极连结的方向沿着与上述第1方向交叉的第2方向；

上述第1选择栅极电极包括在上述第1方向上与上述第3选择栅极电极相离的第1选择栅极区域；

上述多个第1电极包括上述第1选择栅极区域与上述第3选择栅极电极之间的第1电极区域；

上述多个第2电极包括上述第1选择栅极区域与上述第1电极区域之间的第2电极区域；

上述多个第3电极包括上述第1电极区域与上述第2电极区域之间的第3电极区域；

上述层叠体包括第2层叠区域，该第2层叠区域包括上述第1选择栅极区域、上述第3选择栅极电极、上述第1电极区域、上述第2电极区域及上述第3电极区域；

上述第2构造体包括：

第2半导体主体，在上述第1方向上延伸；

第2外侧膜，设置在上述第2半导体主体与上述第2层叠区域之间；

第2内侧膜，设置在上述第2半导体主体与上述第2外侧膜之间；以及

第2中间膜，设置在上述第2外侧膜与上述第2内侧膜之间；

上述第1半导体主体包括第1端部和第2端部；

上述第2半导体主体包括第3端部和第4端部；

上述第1导电层与上述第1端部及上述第3端部电连接；

上述第2导电层与上述第2端部及上述第4端部电连接。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

还包括与上述第1导电层、上述第2导电层、上述第1选择栅极电极、上述第2选择栅极电极、上述多个第1电极、上述多个第2电极及上述多个第3电极电连接的控制部；

上述控制部进行第1动作，在该第1动作中：

使上述第1导电层成为第1电位；

使上述第2导电层成为第2电位；

使上述多个第3电极中的1个成为比上述第1电位高、且比上述第2电位高的第3电位；

使上述多个第1电极成为上述第1电位与上述第3电位之间的第4电位；

使上述多个第2电极成为上述第2电位与上述第3电位之间的第5电位；

使上述多个第3电极中的除了上述1个以外的其他的上述多个第3电极中的至少1个成为第6电位，上述第6电位在上述第4电位与上述第3电位之间、且在上述第5电位与上述第3电位之间；

使上述第2选择栅极电极成为比上述第4电位低、且比上述第5电位低的第7电位；

使上述第1选择栅极电极成为比上述第7电位低的第8电位；

使上述第3选择栅极电极成为比上述第7电位低的第9电位。