[发明专利]电阻式存储装置及其写入方法

权利要求书

1.一种电阻式存储装置的写入方法，包括：

对存储器晶胞施加设定电压以及重置电压当中的其中一者以作为第一选中电压，以使所述存储器晶胞转变为欲写入的阻态，并且取得所述存储器晶胞的第一读取电流；

在取得所述存储器晶胞的所述第一读取电流之后，对所述存储器晶胞施加扰动电压而不改变所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态，并且接着施加读取电压以取得所述存储器晶胞的第二读取电流；

比较所述第一读取电流以及所述第二读取电流，以取得比较结果；以及

根据所述比较结果，判断所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态是否稳定，其中当所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态判断为不稳定，对所述存储器晶胞施加所述设定电压以及所述重置电压当中的另一者以作为第二选中电压，以使所述存储器晶胞转变为与所述欲写入的阻态不同的另一阻态，并且接着所述写入方法回到对所述存储器晶胞施加所述设定电压以及所述重置电压当中的其中一者以作为所述第一选中电压，以使所述存储器晶胞转变为所述欲写入的阻态，并且取得所述存储器晶胞的所述第一读取电流的步骤；

其中所述扰动电压的极性与所述第一选中电压的极性相反，且所述扰动电压的绝对值小于所述第二选中电压的绝对值。

2.根据权利要求1所述的电阻式存储装置的写入方法，还包括：

在再次对所述存储器晶胞施加所述第一选中电压之前，增加所述第一选中电压的绝对值。

3.根据权利要求1所述的电阻式存储装置的写入方法，其中在对所述存储器晶胞施加所述第一选中电压之前，所述存储器晶胞具有所述另一阻态，且所述另一阻态是高阻态，且所述第一选中电压是设定电压，所述第二选中电压是重置电压。

4.根据权利要求3所述的电阻式存储装置的写入方法，其中根据所述比较结果，判断所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态是否稳定的步骤包括：

当所述第二读取电流小于所述第一读取电流，判断所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态为不稳定。

5.根据权利要求1所述的电阻式存储装置的写入方法，其中在对所述存储器晶胞施加所述第一选中电压之前，所述存储器晶胞具有所述另一阻态，且所述另一阻态是低阻态，且所述第一选中电压是重置电压，所述第二选中电压是设定电压。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储装置的写入方法，其中根据所述比较结果，判断所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态是否稳定的步骤包括：

当所述第二读取电流大于或等于所述第一读取电流，判断所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态为不稳定。

7.根据权利要求1所述的电阻式存储装置的写入方法，其中所述扰动电压的绝对值大于改变所述存储器晶胞的电阻值的临界电压。

8.一种电阻式存储装置，包括：

存储器晶胞阵列，包括存储器晶胞；以及

存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，并且所述存储器控制电路经配置以：

对存储器晶胞施加设定电压以及重置电压当中的其中一者以作为第一选中电压，以使所述存储器晶胞转变为欲写入的阻态，并且取得所述存储器晶胞的第一读取电流；

在取得所述存储器晶胞的所述第一读取电流之后，对所述存储器晶胞施加扰动电压而不改变所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态，并且接着施加读取电压以取得所述存储器晶胞的第二读取电流；

比较所述第一读取电流以及所述第二读取电流，以取得比较结果；以及

根据所述比较结果，判断所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态是否稳定，其中当所述存储器晶胞的所述欲写入的阻态判断为不稳定，对所述存储器晶胞施加所述设定电压以及所述重置电压当中的另一者以作为第二选中电压，以使所述存储器晶胞转变为与所述欲写入的阻态不同的另一阻态，并且接着回到对所述存储器晶胞施加所述设定电压以及所述重置电压当中的其中一者以作为所述第一选中电压，以使所述存储器晶胞转变为所述欲写入的阻态，并且取得所述存储器晶胞的所述第一读取电流的步骤，

其中所述扰动电压的极性与所述第一选中电压的极性相反，且所述扰动电压的绝对值小于所述第二选中电压的绝对值。