[发明专利]一种掺杂型铜锌锡硫薄膜材料在审
申请号: | 201710778008.4 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107706252A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 朱建国;况军;徐贤德 | 申请(专利权)人: | 苏州罗格特光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 215156 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 型铜锌锡硫 薄膜 材料 | ||
1.一种掺杂型铜锌锡硫薄膜材料,其特征在于,由以下步骤制备而成:
(1)以铜、锌、锡纳米粉体为原料,与硫粉、甲基丙烯酸甲酯、对苯二酚、乙酸乙酯均匀混合,经高能震动球磨处理后得铜锌锡硫纳米粉末;
(2) 将铜锌锡硫纳米粉末与KIO3粉末溶于适量丙酮,经搅拌、超声分散后形成均一、稳定的胶体溶液;
(3)选取导电基底清洗、晾干,分别作为阴极和阳极在胶体溶液中进行电泳沉积,得到前体铜锌锡硫薄膜,随后将其与银粉置于高压反应釜中回流反应,得到掺杂型铜锌锡硫薄膜半成品;
(4)将掺杂型铜锌锡硫薄膜半成品进行蒸汽反应,随后退火处理得到掺杂型铜锌锡硫薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的掺杂型铜锌锡硫薄膜材料,其特征在于,所述步骤(1)中铜、锌、锡纳米粉体及硫粉的摩尔比为3:2:1:2。
3.根据权利要求1所述的掺杂型铜锌锡硫薄膜材料,其特征在于,所述步骤(3)中导电基底材料优选为聚萘二甲酸乙二醇酯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的