[发明专利]一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统和方法在审
申请号: | 201710778314.8 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107623052A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 朱广东;杨玉杰;刘金浩;庄正军;上官泉元 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/049;C23C16/44 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司11578 | 代理人: | 张红,程立民 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 钝化 al2o3 镀膜 系统 方法 | ||
1.一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统,其特征在于,包括依次连接的上料台、红外加热腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二、卸载腔、缓存台及自动上下料装置,两端的所述上料台及自动上下料装置通过系统底部设置的下传输装置连通以用于将装载有待镀膜硅片的载板从所述自动上下料装置传输至所述上料台;
所述工艺腔包括:设置在所述工艺腔底部的底部加热器,设置在所述底部加热器上方的至少一个离子源,对应设置在所述离子源侧部的侧部加热器,及设置于所述离子源两侧的分气块;所述离子源的下方两侧还设置有陶瓷板。
2.一种基于权利要求1的太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜方法,其特征在于,包括如下步骤:
①装载有待镀膜硅片的载板进入所述上料台完成上料状态;
②在传输系统的作用下将装载有待镀膜硅片的载板输送至红外加热腔进行预热至300~500℃;
③经红外预热的硅片被输送至缓冲腔一并保持硅片恒温在300~500℃,并等待后续载有待镀膜硅片的载板的预热;
④硅片进入工艺腔内,在300~500℃恒温及真空状态下进行等离子体增强化学的气相沉积并在硅片表面形成Al2O3薄膜镀层;
⑤经等离子体增强化学的气相沉积镀膜后的硅片被输送至所述缓冲腔二,并等待后续载板上硅片的等离子体增强化学的气相沉积镀膜;
⑥硅片镀膜后的载板进入所述卸载腔并使载板从真空状态过渡到大气状态;
⑦大气状态的载板进入所述缓存台以保障设备的连续运行,并在所述自动上下料装置短时故障时存放多张载板进行缓存;⑧载板进入所述自动上下料装置将镀膜后的硅片放入花篮,然后将新的待镀膜硅片放置于载板上;
⑨装置有待镀膜硅片的载板经镀膜系统底部的下传输装置输送至所述上料台实现上料状态并使载板实现循环。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜方法,其特征在于,步骤④中,三甲基铝通过N2或Ar携带并从所述分气块进入所述工艺腔的腔体,O2或N2O从所述离子源进入所述腔体,三甲基铝和O2或N2O经过射频电离后在硅片表面产生沉积而完成Al2O3镀膜;其中,所述陶瓷板用于隔离三甲基铝与O2或N2O并起绝缘作用。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜方法,其特征在于,步骤④中,所述离子源的射频电源频率为13.56MHz,射频电源功率为100~1000W;工艺气体流量范围:三甲基铝为30~300sccm,O2或N2O为100~2000sccm,N2或Ar为100~2000sccm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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