[发明专利]一种亚波长抗反射微结构器件及其表面质量无损后处理工艺方法

权利要求书

1.一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

首先，通过物理、化学方法清洗亚波长抗反射结构器件的基底之上的亚波长微结构表面，去除亚波长微结构表面的粉尘、残留杂质；

第二步，将初步清洗后的亚波长抗反射结构器件放置于真空室内，抽真空至10^-3Pa以下，通过低能离子束对基底以及亚波长微结构的表面进行轰击，轰击时间10～30min；

第三步，在基底以及亚波长微结构的表面，以垂直或与垂直方向小角度夹角的方向入射沉积方式生长与亚波长微结构同质的薄膜层，简称同质膜层；同时辅助转动、烘烤。

2.根据权利要求1所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，该方法所应用的亚波长抗反射结构器件的亚波长微结构与基底为同质。

3.根据权利要求1所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，所述与基底同质的膜层材料倾斜入射沉积方式中入射小角度在0～20度之间。

4.根据权利要求1所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，所述同质膜层的厚度小于所述亚波长微结构的高度，在10～100nm厚度大小范围内。

5.根据权利要求1所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，所述沉积的方式包括电子束蒸发、溅射、热蒸发、原子或电化学沉积。

6.根据权利要求1所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，所述低能离子束轰击中轰击气体包括Ar、He惰性气体或者N2、O2充当离子源激发的气体；所述离子束轰击激发方式包括射频、脉冲、加热阴极方法。

7.根据权利要求1至6任一所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，所述亚波长微结构包括圆柱、圆台或棱柱的一种或几种混合而成的；亚波长微结构的顶部为平顶，和/或亚波长微结构的顶部为剖面为锥形、弧形和/或半圆形的非平顶结构。

8.根据权利要求1至6任一所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法，其特征在于，所述基底材料包括石英，玻璃，蓝宝石、或者由硅、锗、硫化锌或硒化锌制成的红外光学窗口材料。

9.一种改善后的亚波长抗反射结构器件，其特征在于，基底之上为亚波长微结构表面，亚波长微结构与基底为同质，亚波长微结构表面的与亚波长微结构同质的薄膜层，同质膜层的厚度小于亚波长微结构的高度，同质膜层的厚度在10～100nm厚度大小范围内。

10.根据权利要求9所述的一种改善后的亚波长抗反射结构器件，其特征在于，采用权利要求1至6任一所述的一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法制作。