[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装

说明书

公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件及包括其的半导体器件封装。

背景技术

包括如GaN、AlGaN等的化合物的半导体器件具有许多优点，例如，具有宽且易于调节的带隙能量，因此，可多样地用作发光器件、受光元件及各种二极管等。

尤其，使用第3-5族或2-6族化合物半导体材料的发光二极管和激光二极管等发光器件由于薄膜生长技术和器件材料的开发而可以实现红色、绿色、蓝色及紫外线等各种颜色，通过使用荧光材料或组合颜色来可以实现有效的白光，且与如荧光灯和白炽灯等现有光源相比，具有功耗低、半永久寿命、响应速度快、安全、环保等优点。

此外，当使用3-5族或2-6族化合物半导体材料制造光检测器或如太阳能电池等受光元件时，借助器件材料的开发而吸收各种波长范围的光以产生光电流，从而可以使用从γ射线到无线电波长区域的各种波长范围的光。并且，具有响应速度快、安全、环保、易于控制设备材料的优点，因此可以方便地用于电源控制或超高频电路或通讯模块。

因此，半导体器件的应用范围扩大到光通信装置的发送模块、替代构成液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的背光源的冷阴极荧光灯(Cold CathodeFluorescence Lamp，CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、汽车前大灯、交通灯及检测气体或火灾的传感器等。并且，半导体器件的应用范围可以扩大到高频应用电路或其他电源控制装置、通讯模块。

尤其，发射紫外线波长区域的光的发光元件起到固化作用或灭菌作用，因此可以用于固化、医疗和灭菌等用途。

近年来，对于紫外线发光元件的研究活跃，但紫外发光元件还存在难以实现为垂直型元件的问题，并且在分离基板的过程中存在结晶度劣化的问题。

发明内容

技术问题

实施例提供一种垂直型紫外线发光元件。

并且，还提供提高光输出的发光元件。

本发明要解决的问题不限于上述内容，而可以视为包括从以下说明的解决问题的方案和实施方案可明确理解的目的或效果。

解决问题的方案

根据本发明的一实施例的半导体器件可包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，其中，所述有源层包括多个阻挡层和阱层，所述第二导电型半导体层包括第2-2导电型半导体层、和布置在所述第2-2导电型半导体层上的第2-1导电型半导体层，所述阻挡层、阱层、第2-2导电型半导体层及第2-1导电型半导体层包括AlGaN，所述第2-2导电型半导体层的铝组成高于所述阱层的铝组成，所述第2-1导电型半导体层的铝组成低于所述阱层的铝组成。

发明的效果

根据实施例，可以制造垂直型紫外线发光元件。

并且，在半导体器件中抑制光吸收，从而可以提高光输出。

并且，没有GaN薄膜也可以降低第二导电型半导体层和第二电极的接触电阻。