[发明专利]一种抑制瞬态电场下电荷注入方法及装置

权利要求书

1.一种抑制瞬态电场下电荷注入方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

选取纯度为99.99％的氧化镁靶材置入磁控溅射仪，将基体固定于磁控溅射仪基底进行磁控溅射，在基体表面形成一层氧化镁薄膜；

将基体对高压设备载流模块表面进行绝缘覆盖。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射仪的工作模式为脉冲激励源，溅射功率300W，溅射腔室抽真空至0.35Pa，并在腔室内部通入高纯氩气，气体流速设置为35sccm，其中sccm表示标准毫升每分钟流量。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射时间包括1小时～6小时，所述氧化镁薄膜的厚度包括100nm～800nm，其中nm表示纳米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基体包括绝缘材料层或者金属导体；所述氧化镁薄膜设置于所述绝缘材料层表面，所述氧化镁薄膜设置于所述金属导体表面。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在高压设备载流模块表面进行绝缘覆盖包括将镀有氧化镁薄膜的绝缘材料层缠绕在基体上形成定子绕组，将缠绕完毕的定子绕组放到180摄氏度温度下挤压成型，制备电机定子绕组；将镀有氧化镁薄膜的金属导体放到模具中，然后将模具送入浇注炉进行浇注，制备环氧基绝缘件；通过三层共挤设备，将镀有氧化镁薄膜的金属导体、半导电层和镀有氧化镁薄膜的绝缘材料层三者一同挤压成型，制备电缆。

6.一种抑制瞬态电场下电荷注入装置，其特征在于，包括所述权利要求1～5中任一项所述的已进行绝缘覆盖的高压设备载流模块。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置包括设置有变压器绕组绝缘的高压电机，设置有组合开关及气体绝缘金属管道绝缘子的高压断路器，中高压交直流套管或者中高压交直流电缆。