[发明专利]一种低熔指白色EVA光伏胶膜的制备方法在审
申请号: | 201710784983.6 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN107641481A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 曾金栋;何胡送 | 申请(专利权)人: | 常州斯威克光伏新材料有限公司 |
主分类号: | C09J123/08 | 分类号: | C09J123/08;C09J11/06;C09J11/04;H01L31/048 |
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地址: | 213200 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低熔指 白色 eva 胶膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光伏胶膜技术领域,尤其是一种低熔指白色EVA光伏胶膜的制备方法。
背景技术
太阳能光伏组件基本结构由上到下由5层组成:上层高透型光伏玻璃﹑上层EVA胶膜﹑电池片﹑下层EVA胶膜﹑光伏背板或下层光伏玻璃。由于这种结构,太阳光从玻璃入射,经过上层EVA胶膜,到达电池片实现光电转换,太阳光在电池片间的间隔以及电池片与组件边缘的空白处出现较大损失,如果最下面是光伏玻璃,那么太阳光会直接射出,如果是光伏背板,由于背板反射率不高,约70-80%,这样就有20-30%的太阳光被损失掉。因此,高反光率的白色EVA胶膜的制备和应用就成为太阳能产业界研究的热点。但是,随着研究的深入,褶皱和溢白的问题逐渐显现出来。由于光伏组件需要高温层压才能固化成型,而层压过程中为了解决气泡的产生,需要抽真空,在气压和内应力的双重作用下,白色EVA胶膜出现褶皱,而且容易溢白到电池片和汇流条上,这样不仅影响了光伏组件的美观,而且降低了功率。所以解决褶皱和溢白的问题就成为当务之急。
内应力的解决主要是降低热收缩率,气压的影响主要是降低胶膜的热流动性,目前解决这个问题的方法主要有两种:1,白色EVA胶膜电子辐射预处理;2,低熔指白色EVA胶膜。但是由于技术水平的限制,目前电子辐射发生器工作并不稳定,容易造成辐射的不均匀性,即局部过量或低量,过量会带来电池片隐裂和气泡的风险,低量又会出现褶皱和溢白的风险。同时,由于热熔性差,低熔指EVA胶膜在热熔挤出时给设备带来更大的载荷,给加工造成较大的困难,传统的流延法难以制备,但是压延法却具备运行载荷降低,生产速率高的特点。
发明内容
本发明的目的是:克服现有技术中的不足,提供一种热熔流动性低且无褶皱和溢白风险的EVA光伏胶膜的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种低熔指白色EVA光伏胶膜的制备方法,包括以下步骤:将低熔指乙烯-醋酸乙烯共聚物,抗氧剂及交联剂和硅烷偶联剂充分混合后,进行熔融共挤出,挤出机各区域的温度80~90℃,挤出后经三辊压延,冷却辊,再经压花工序、测厚后进行定型,最后再切边、收卷,包装入库。
优选的,所述抗氧剂包括主抗氧剂和辅抗氧剂,其中,所述主抗氧基为β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八碳醇酯;所述辅抗氧剂为三(4-壬基酚)亚磷酸酯和/或亚磷酸三(2,4-二叔丁基苯基)酯。
进一步的,所述辅抗氧剂为三(4-壬基酚)亚磷酸酯和亚磷酸三(2,4-二叔丁基苯基)酯的复配物。
进一步的,交联剂包括交联固化剂和助交联剂,其中,所述交联固化剂包括有机过氧化物和/或偶氮化合物,所述有机过氧化物包括为过氧化异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化氢二异丙苯、2,5-二甲基-2,5二叔丁基过氧化己烷、4,4-二(叔戊基过氧)戊酸正丁基酯,过氧化2-乙基己基碳酸叔丁酯、3,3-二(叔丁基过氧)丁酸乙酯中的一种或几种;所述助交联剂包括三烯丙基异氰脲酸酯、三聚氰酸三烯丙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯中的一种或多种混合。
进一步的,所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷中的至少一种。
进一步的,所述白色EVA胶膜的总厚度为350~750μm。
进一步的,所述低熔指乙烯-醋酸乙烯共聚物树脂、抗氧剂、交联剂,硅烷偶联剂和白色填料的质量比为80%~95%:0.05%~5%:0.25%~2%:0.1%~4%:5~20%。
采用本发明的技术方案的有益效果是:
1、选用低熔指EVA胶粒能够大幅提高EVA胶膜热熔黏度,降低其热熔流动性,降低其在层压抽真空过程中的褶皱和溢白的风险。
2、选用压延法制备低熔指EVA白膜,克服了流延法负载大,加工难度大的缺点,不仅容易加工,而且效率大大提高。
本发明制造的产品应用范围广泛,反光率达到90%以上,能够提高光伏组件的光电转换效率,而且能够同时消除气泡和隐裂,褶皱和溢白的现象。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明。
使用的材料为:
主料:乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA),VA含量为33%,熔体流动速率为1.0g/10min~10g/10min。
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