[发明专利]隔离结构的制作方法

权利要求书

1.一种隔离结构的制作方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底中形成一沟槽；

进行一第一成膜制作工艺，用以于该半导体基底上以及该沟槽中共形地形成一第一介电层；

在该第一介电层形成之前，该半导体基底上以及该沟槽中共形地形成一衬层，其中该第一介电层共形地形成于该衬层上，且该衬层的厚度小于该第一介电层的该厚度；

进行一退火制作工艺，用以使该第一介电层和该衬层被密实化而成为一第二介电层，其中该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度；以及

在该退火制作工艺之后，进行一第二成膜制作工艺，用以于该第二介电层上以及该沟槽中形成一第三介电层，其中该第三介电层与该第二介电层将该沟槽填满，

其中该第一介电层的该厚度大于该第三介电层的厚度，该第二介电层的该厚度大于该第三介电层的厚度。

2.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该第二介电层的密度大于该第一介电层的密度。

3.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该第二介电层的密度大于该第三介电层的密度。

4.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该第一介电层、该第二介电层以及该第三介电层分别包括氧化硅层。

5.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该第一成膜制作工艺、该退火制作工艺以及该第二成膜制作工艺于同一机台中依序进行。

6.如权利要求5所述的隔离结构的制作方法，其中该第一成膜制作工艺、该退火制作工艺以及该第二成膜制作工艺于同一制作工艺腔室中依序进行。

7.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该退火制作工艺的制作工艺温度高于该第一成膜制作工艺的制作工艺温度以及该第二成膜制作工艺的制作工艺温度。

8.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该退火制作工艺的制作工艺气体包括氮气、氩气或氢气。

9.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该第一成膜制作工艺以及该第二成膜制作工艺分别包括一原子层沉积制作工艺。

10.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其中该衬层的密度大于该第一介电层的密度。