[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。

背景技术

在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体生长用基板的表面上形成层积体层，该层积体层通过将n型半导体层、发光层、p型半导体层层积多层而形成，在由该层积体层上交叉的2条以上的分割预定线划分出的区域形成有2个以上的LED(发光二极管，Light Emitting Diode)等发光器件的晶片被沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片，分割得到的发光器件芯片被广泛用于移动电话、个人电脑、照明设备等各种电气设备中。

由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性，因而光也会照射到晶体生长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。但是，照射到基板的内部的光之中，基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面发生全反射而被封闭在基板内部，不会从基板射出到外部，因而具有招致发光器件芯片的亮度降低的问题。

为了解决该问题，在日本特开2014-175354号公报中记载了一种发光二极管(LED)，其中，为了抑制从发光层射出的光被封闭在基板的内部，在基板的背面粘贴透明部件从而谋求亮度的提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-175354号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所公开的发光二极管中，虽然通过在基板的背面粘贴透明部件而使亮度稍有提高，但仍具有得不到充分的亮度的问题。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供可得到充分亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。

用于解决课题的手段

根据技术方案1所述的发明，提供一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，其具备：晶片准备工序，准备在晶体生长用的透明基板上具有形成有包含发光层的2层以上的半导体层的层积体层的晶片，在由该层积体层的表面上相互交叉的2条以上的分割预定线划分出的各区域分别形成有LED电路；晶片背面加工工序，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成2个以上的凹部或槽；透明基板加工工序，在整个面上形成有2个以上的贯通孔的透明基板的表面上与该晶片的各LED电路对应地形成2个以上的凹陷；一体化工序，在实施了该晶片背面加工工序和该透明基板加工工序后，将该透明基板的表面粘贴在该晶片的背面而形成一体化晶片；以及分割工序，将该晶片沿着该分割预定线与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。

优选在透明基板加工工序中形成的凹陷的截面形状为三角形、四边形或圆形中的任一形状。优选在晶片背面加工工序中形成的凹部或槽通过切削刀具、蚀刻、喷砂、激光中的任一方式形成，在透明基板加工工序中形成的凹陷通过蚀刻、喷砂、激光中的任一方式形成。

优选该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石、透明树脂中的任一种形成，在该一体化工序中，该透明基板利用透明粘接剂粘接在晶片上。

根据技术方案5所述的发明，提供一种发光二极管芯片，其中，该发光二极管芯片具备：在表面形成有LED电路且在背面形成有凹部或槽的发光二极管；以及粘贴在该发光二极管的背面的形成有2个以上的贯通孔的透明部件，在该透明部件的与该发光二极管的粘贴面形成有凹陷。

发明效果

本发明的发光二极管芯片中，由于在LED的背面形成有凹部或槽，并且在粘贴在背面的具有2个以上的贯通孔的透明部件的表面形成有凹陷，因而透明部件的表面积增大；此外，从LED的发光层照射并入射到透明部件中的光在该凹部或该槽部分发生复杂地折射，进而从透明部件射出的光在凹陷部分发生复杂地折射，因而，光从透明部件射出时，透明部件与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光的比例减少，从透明部件射出的光的量增大，发光二极管芯片的亮度提高。

附图说明

图1是光器件晶片的表面侧立体图。

图2的(A)是示出利用切削刀具进行的晶片的背面加工工序的立体图，图2的(B)～图2的(D)是示出所形成的槽形状的截面图。

图3的(A)是具有形成在晶片的背面的沿第1方向伸长的2个以上的槽的晶片的背面侧立体图，图3的(B)是形成有形成在晶片的背面的沿第1方向和与第1方向正交的第2方向伸长的2个以上的槽的晶片的背面侧立体图。

图4的(A)是示出在晶片的背面粘贴掩模的情形的立体图，图4的(B)是在晶片的背面粘贴有具有2个以上的孔的掩模的状态的立体图，图4的(C)～图4的(E)是示出形成在晶片的背面的凹部的形状的晶片的局部立体图。