[发明专利]光电元件的制备方法

权利要求书

1.一种光电元件的制备方法，包括：

(a)于承载材上形成一层高分子层，该高分子层是以一种于光线照射下会产生降解的材料为主；

(b)于该高分子层上形成光电元件；

(c)对该高分子层施加光线照射，以使该高分子层产生降解，并使该承载材与该光电元件分离；及

(d)利用清洗组合物清洗该承载材或该光电元件；

其中，该清洗组合物包含由化学式1所示的链状碳酸酯、以及汉森溶解度参数范围为9～15(cal/cm³)^1/2的有机溶剂，

[化学式1]

R¹及R²相同或不同且各自独立地表示C₁～C₅烷基、C₂～C₅烯基或苯基。

2.如权利要求1所述的光电元件的制备方法，其中，该高分子层的材料选自于聚酰亚胺、聚苯并唑、聚酯、酚醛树脂、丙烯酸类树脂、环氧树脂、或前述的组合。

3.如权利要求1所述的光电元件的制备方法，其中，该由化学式1所示的链状碳酸酯选自于碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二丙酯、碳酸二正丁酯、碳酸甲乙酯、碳酸甲丙酯、碳酸乙丙酯、碳酸烯丙基甲基酯、碳酸二烯丙基酯、或前述的组合。

4.如权利要求1所述的光电元件的制备方法，其中，该有机溶剂于760mmHg下的最低沸点为140℃。

5.如权利要求1所述的光电元件的制备方法，其中，该有机溶剂选自于N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-异丙基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二乙基甲酰胺、γ-丁内酯、二甲基亚砜、丙二醇甲基醚乙酸酯、由化学式2所示的环状碳酸酯、或前述的组合，

[化学式2]

R³、R⁴、R⁵及R⁶相同或不同且各自独立地表示氢、C₁～C₅烷基或C₂～C₅烯基。

6.如权利要求5所述的光电元件的制备方法，其中，该由化学式2所示的环状碳酸酯选自于碳酸丙烯酯或碳酸丁烯酯。

7.如权利要求5所述的光电元件的制备方法，其中，该有机溶剂选自于N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯、二甲基亚砜或碳酸丙烯酯。

8.如权利要求1所述的光电元件的制备方法，其中，以该清洗组合物的总重量为100wt％计算，该链状碳酸酯的含量范围为5～95wt％，及该有机溶剂的含量范围为5～95wt％。

9.如权利要求1所述的光电元件的制备方法，其中，该步骤(c)的光线是激光。