[发明专利]一种用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件

权利要求书

1.一种用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件，其特征在于，所述LDMOS-SCR器件包括1个LDMOS-SCR和n-1个VSCR堆叠单元，其中，n为大于或等于1的正整数；

所述LDMOS-SCR包括第一种导电类型半导体衬底；形成于所述第一种导电类型半导体衬底之内的第二种导电类型深阱区；形成于所述第二种导电类型深阱区之内的第一种导电类型阱区、第一个第一种导电类型的重掺杂区和第一个第二种导电类型的重掺杂区，其中，所述第一个第一种导电类型的重掺杂区位于第一个第二种导电类型的重掺杂区和第一种导电类型阱区之间；形成于所述第一种导电类型阱区之内的第二个第一种导电类型的重掺杂区和第二个第二种导电类型的重掺杂区，其中，所述第二个第二种导电类型的重掺杂区位于第一个第一种导电类型的重掺杂区和第二个第一种导电类型的重掺杂区之间；形成于LDMOS-SCR表面且与第一个第一种导电类型的重掺杂区有间隔的栅氧化层，以及位于栅氧化层之上的多晶硅；

所述VSCR堆叠单元包括第一种导电类型半导体衬底；形成于所述第一种导电类型半导体衬底之内的第二种导电类型阱区；形成于所述第二种导电类型阱区之内、且在远离LDMOS-SCR方向上依次排列的第一个第二种导电类型重掺杂区、第一种导电类型重掺杂区、第一种导电类型浅阱区和第二个第二种导电类型重掺杂区；形成于所述第一种导电类型浅阱区之内的第二种导电类型的重掺杂区；

所述LDMOS-SCR中位于第二种导电类型深阱区之内的第一个第一种导电类型的重掺杂区和第一个第二种导电类型的重掺杂区与阳极相连，位于第一种导电类型阱区之内的第二个第一种导电类型的重掺杂区和第二个第二种导电类型的重掺杂区与多晶硅以及第一个VSCR堆叠单元中的第二种导电类型阱区之内的第一个第二种导电类型重掺杂区、第一种导电类型重掺杂区相连；

第i-1个VSCR堆叠单元中的位于第二种导电类型阱区之内的第二个第二种导电类型重掺杂区和位于第一种导电类型浅阱区之内的第二种导电类型的重掺杂区与第i个VSCR堆叠单元中的第二种导电类型阱区之内的第一个第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区相连，i＝2,3,…,(n-1)；所述第n-1个VSCR堆叠单元中的位于第二种导电类型阱区之内的第二个第二种导电类型重掺杂区和位于第一种导电类型浅阱区之内的第二种导电类型的重掺杂区与阴极相连。