[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置为背照式图像传感器，所述方法包括：

利用去离子水对旋转的顶部晶圆的底面和旋转的底部晶圆的顶面进行清洗，以在所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面上分别形成水膜；

在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；

将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下，置于所述真空环境下时未进行热退火工艺，所述真空环境下的压强为0.0001mBar-0.1mBar；

置于所述真空环境下停留一段时间后，执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，置于所述真空环境下停留的时间为0.5h-2h。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述水膜前，对所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面进行亲水性处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述亲水性处理包括等离子体处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的处理条件包括：

真空压强小于1mBar；

处理时间为15s-90s；

功率为50W-200W；

处理气氛包括氮气。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗步骤的清洗条件包括：

清洗时间为1min-5min；

所述顶部晶圆和所述底部晶圆的旋转速率为1000转/分-3000转/分。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合包括：

对所述顶部晶圆的顶面施加1N-3N的压力，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面通过分子间力吸引而贴合。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述热退火工艺的条件包括：

退火温度为300℃-500℃；

退火时间为1h-3h；

退火气氛包括氮气。