[发明专利]一种超宽带混合集成平衡式低噪声放大器

权利要求书

1.一种超宽带混合集成平衡式低噪声放大器，其特征在于：包括空气盒子Box、特征阻抗50欧姆的输入端口Pin、特征阻抗50欧姆的输出端口Pout、第一侧印地GND1、第二侧印地GND2、第一接地板G1、第二接地板G2、第三接地板G3、第四接地板G4、第五接地板G5、第一正交耦合器C1、第二正交耦合器C2、第一贴片T1、第二贴片T2、第三贴片T3、第四贴片T4、第五贴片T5、第六贴片T6、第一低噪声放大器芯片LNA1、第二低噪声放大器芯片LNA2、第一隔离电阻R1、第二隔离电阻R2；

第一正交耦合器C1包括第一输入连接线Lin1、第一微带耦合线L1、第二微带耦合线L2、第三微带耦合线L3、第四微带耦合线L4、第一连接柱H1、第二连接柱H2、第三连接柱H3、第四连接柱H4、第五连接柱H5、第六连接柱H6、第一输出连接线Lout1、第二输出连接线Lout2、第三输出连接线Lout3、第二接地板G2；

第二正交耦合器C2包括第二输入连接线Lin2、第五微带耦合线L5、第六微带耦合线L6、第七微带耦合线L7、第八微带耦合线L8、第七连接柱H7、第八连接柱H8、第九连接柱H9、第十连接柱H10、第十一连接柱H11、第十二连接柱H12、第四输出连接线Lout4、第五输出连接线Lout5、第六输出连接线Lout6、第四接地板G4；

第一贴片T1、第二贴片T2、第三贴片T3、第四贴片T4、第五贴片T5、第六贴片T6均位于空气盒子Box的侧表面上，第一低噪声放大器芯片LNA1居中贴附于第一贴片T1和第二贴片T2上表面，第二低噪声放大器芯片LNA2分别居中贴附于第四贴片T4和第五贴片T5上表面，第一隔离电阻一端贴附于第三贴片T3上表面，另一端与第一侧印地GND1相接，第二隔离电阻一端贴附于第六贴片T6上表面，另一端与第二侧印地GND2相接；

第一侧印地GND1与第二侧印地GND2与空气盒子Box的前后表面相接，第一接地板G1、第二接地板G2、第三接地板G3、第四接地板G4、第五接地板G5从上至下平行放置，两侧边分别与第一侧印地GND1、第二侧印地GND2相接；

第一正交耦合器C1位于第一接地板G1和第三接地板G3之间，第二正交耦合器C2位于第三接地板G3和第五接地板G5之间。

2.根据权利要求1所述的超宽带混合集成平衡式低噪声放大器，其特征在于：所述第一正交耦合器C1中，第一输入连接线Lin1的一端与特征阻抗50欧姆的输入端口Pin相连，另一端与第一微带耦合线L1的下层线L12相连，第一微带耦合线L1的下层线L12的另一端通过第二连接柱H2与第二微带耦合线L2的下层线L22一端相连，第二微带耦合线L2的下层线L22的另一端通过第四连接柱H4与第三微带耦合线L3的下层线L32一端相连，第三微带耦合线L3的下层线L32的另一端通过第六连接柱H6与第四微带耦合线L4的下层线L42一端相连，第四微带耦合线L4的下层线L42的另一端与第一输出连接线Lout1一端相连，其另一端与第一贴片T1相接；第三输出连接线Lout3一端与第四贴片T4相连，另一端与第四微带耦合线L4的上层线L41一端相连，第四微带耦合线L4的上层线L41的另一端通过第五连接柱H5与第一微带耦合线L1的上层线L11一端相连，第一微带耦合线L1的上层线L11的另一端通过第一连接柱H1与第二微带耦合线L2的上层线L21一端相连，第二微带耦合线L2的上层线L21的另一端通过第三连接柱H3与第三微带耦合线L3的上层线L31一端相连，第三微带耦合线L3的上层线L31的另一端与第二输出连接线Lout2一端相连，第二输出连接线Lout2的另一端与第六贴片T6相接；第五连接柱H5、第六连接柱H6分别穿过第二接地板G2上的通孔；所述第一微带耦合线L1、第二微带耦合线L2和第三微带耦合线L3级联于同一层面，第四微带耦合线L4通过第二接地板G2与之隔开，独立一层。