[发明专利]一种塑封光耦解剖方法

权利要求书

1.一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。

2.根据权利要求1所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对塑封光耦进行X射线检查；

S2、对照步骤S1塑封光耦的X射线照片，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除；

S3、采用手动方式将光耦发光部分和接收部分分离，并将隔离片揭开，露出发光管；

S4、将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止；

S5、清洗解剖后的光耦，并判断是否符合要求，如果符合，则完成芯片解剖；

S6、利用激光开封机对外键合点进行解剖，完整暴露出内外键合点，并判断是否符合要求，如果符合，则完成解剖。

3.根据权利要求2所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，步骤S2中，去除掉所述塑封光耦的正面、背面及两个侧面，且正面及背面均要将包裹光耦隔离片的塑封材料去除。

4.根据权利要求3所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，四个方向在解剖过程中，激光扫到塑封光耦框架时的激光能量为30％。

5.根据权利要求2所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，步骤S4中，浓硫酸浸泡的温度为常温，浸泡时间为6～10分钟。

6.根据权利要求2所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，步骤S5中，将解剖后的光耦置于丙酮中进行超声清洗。

7.根据权利要求2所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，步骤S5中，将解剖后的光耦置于酒精中进行超声清洗。