[发明专利]一种高储能密度陶瓷电容器在审
| 申请号： | 201710787310.6 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107464693A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李文功 | 申请（专利权）人： | 铜陵百墩实业有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高储能 密度 陶瓷 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高储能密度陶瓷电容器，包括基体、底电极、储能层和顶电极，其特征在于：所述储能层与基体之间叠加底电极和下耐击穿子层，所述下耐击穿子层设置于底电极下端，所述储能层上端依次叠加设有顶电极和上耐击穿子层。
2.如权利要求1所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述基体硅或二氧化硅。
3.如权利要求1所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述底电极为金属薄膜、导电氧化物薄膜、或两种组合，厚度为100～1000nm。
4.如权利要求1所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述储能层为玻璃陶瓷介质片，厚度为600nm～4μm。
5.如权利要求4所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述玻璃陶瓷介质由陶瓷相和玻璃相组成。
6.如权利要求5所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述陶瓷相为铌酸盐陶瓷相，所述玻璃相为SiO2、B2O3或二者的混合相。
7.如权利要求1所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述顶电极为直径40～400μm的金属薄膜点电极。
8.如权利要求1所述的高储能密度陶瓷电容器，其特征在于：所述金属薄膜选自Ti、Pt。
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