[发明专利]一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件，制备方法中，在顶部膜层上涂覆第一光刻胶涂层，对第一光刻胶涂层中与第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理；在第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层；对第一光刻胶涂层以及第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；第二光刻胶涂层中去除的与第一接触孔对应部分的尺寸小于第一光刻胶涂层中去除的与第一接触孔对应部分的尺寸，对多层功能膜层中与第一接触孔对应的部分去除形成第一接触孔。第一接触孔中形成的金属结构侧面有一定斜度，不易断裂，当在第一接触孔中形成源漏极时，可大大降低源漏极沉积的断裂风险。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件。

背景技术

现在大尺寸的OLED因其高对比度、自发光逐渐成为电视的新增长热点，尤其是大尺寸OLED中顶栅相比底栅具有高Ion、更高的开口率和更好的TFT稳定性而受到关注。其中大尺寸OLED显示屏中，为保护沟道层的稳定性，目前顶栅TFT下会制备一层金属图案形成遮光金属层以避免外界光对其特性的干扰，但因此会产生双TFT问题，对TFT特性造成干扰，使TFT不稳定。为解决此问题，现有技术中一般会干刻接触孔使源极与遮光金属层相连以避免双TFT问题，但是由于考虑到使用特性以及良率，接触孔需要刻蚀的无机膜特别厚，为保证非刻蚀区域关光阻仍有残留，故需要涂覆的光阻也非常厚，而光阻厚在2.2～2.5μm即会导致初始干刻坡度角非常陡，再加上孔干刻深度较深，源极沉积会有断裂的风险。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板接触孔制备方法、阵列基板及显示器件，该阵列基板接触孔制备方法中，在基板上形成的第一接触孔的侧面有一定坡度，则在第一接触孔沉积的金属结构侧面有一定坡度，不易断裂。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板接触孔制备方法，所述方法包括：

在基板上形成第一金属层、并通过构图工艺形成第一金属图案；

依次在所述第一金属层上形成多层功能膜层；

在所述多层功能膜层的顶部膜层上涂覆第一光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第一光刻胶涂层中与用于连接导电金属结构和所述第一金属层的第一接触孔对应的部分进行曝光不显影处理；

在所述第一光刻胶涂层上涂覆第二光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应的部分进行曝光处理；

对所述第一光刻胶涂层以及所述第二光刻胶涂层中进行曝光过的部位进行显影去除；

其中，所述第二光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸小于所述第一光刻胶涂层中与所述第一接触孔对应且去除的部分的尺寸；

对所述多功能膜层进行干刻，将所述多功能膜层中与所述第一接触孔对应的部分去除形成所述第一接触孔。