[发明专利]一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法

权利要求书

1.一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A.制绒；B.扩散；C.刻蚀；D.退火；E.镀减反射膜；F.印刷；所述步骤D中退火采用无氧退火；所述步骤F中印刷采用无网结二次印刷。

2.根据权利要求1所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于步骤B又包含以下步骤：

(1)将电池片放入扩散炉，并往扩散炉中通入大氮；(2)将扩散炉炉腔升温至第一温度，并持续通入大氮；(3)将炉腔维持在第一温度，并向炉腔内通入大氮和氧气对电池片进行氧化；(4)在第一温度下进行低温扩散，此过程中持续向炉腔内通入大氮、小氮、氧气；(5)将扩散炉炉腔升温至第二温度同时推进磷原子，继续通入大氮；(6)将炉腔维持在第二温度并进行高温扩散，此过程中持续向炉腔内通入大氮、小氮、氧气；(7)将扩散炉炉腔升温至第三温度同时推进磷原子，继续通入大氮；(8)在第三温度下持续推进磷原子，此过程中持续向炉腔内通入大氮、氧气；(9)降温并进行氧化同时推进磷原子，此过程中持续向炉腔内通入大氮、氧气；(10)出炉；其中，第一温度<第二温度<第三温度。

3.根据权利要求2所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述的第一温度为770-790℃，所述第二温度为807-827℃，所述第三温度为840-860℃。；步骤(1)中将扩散炉初始温度设置在590-610℃。

4.根据权利要求2所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，以0.18-0.22℃/s的速度将炉腔温度升至第一温度；步骤(5)中，以0.18-0.22℃/s的速度将炉腔温度升至第二温度；步骤(7)中，以0.18-0.22℃/s的速度将炉腔温度升至第三温度；步骤(9)中以0.18-0.22℃/s的速度降温。

5.根据权利要求2所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于：步骤(3)中氧气通入的流量为80-120ml/min；步骤(4)中氧气通入的流量为180-220ml/min；步骤(6)中氧气通入的流量为180-220ml/min；步骤(8)中氧气通入的流量为180-220ml/min；步骤(9)中氧气通入的流量为180-220ml/min；步骤(4)中小氮通入的流量为180-220ml/min；步骤(6)中小氮通入的流量为80-120ml/min；步骤(1)至步骤(10)中大氮通入的流量均为1800-2200ml/min。

6.根据权利要求2所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于：步骤(3)中通入氧气进行氧化的时间为180-220s；步骤(4)中低温扩散的时间为480-520s；步骤(6)中高温扩散的时间为280-320s；步骤(8)中磷原子推进的时间为180-220s。

7.根据权利要求1所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于步骤D采用的无氧退火包括以下步骤：(1)将电池片放入退火炉；(2)将退火炉炉管内温度升至温度I，并抽取真空至压强I；(3)保持温度I及压强I；(4)将退火炉炉管内温度降至温度II；(5)将退火炉炉管内压强升至常压；(6)出炉。

8.根据权利要求7所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于步骤(1)中向退火炉炉管中通入大氮，通入大氮的流量为1500ml/min-3500ml/min。

9.根据权利要求7所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于步骤(2)中在290-310s内将温度升至温度I，温度I为740-760℃，压强I为160-180m PA；步骤(3)中持续时间为890-910s；步骤(4)中在140-160s内将温度降低到温度II，所述温度II为640-660℃；步骤(5)中在90-110s内从压强I升至常压。

10.根据权利要求1所述的一种常规单晶二次印刷太阳能电池片的制备方法，其特征在于步骤F中采用的无网结二次印刷包括采用丝网印刷机进行DP1和DP2的两次印刷，DP1印刷副栅线，DP2套印主栅线和副栅线，所述DP1印刷和DP2印刷使用的丝印网版为无网结丝印网版，所述无网结丝印网版包括网框以及张接固定于所述网框中的网纱，网纱由多根经线和纬线编织而成，所述网纱中的每一经线与纬线分别平行或垂直于网框，所述网纱上设置有印刷区和非印刷区；

所述DP1无网结丝印网版的网纱上印刷区的图形包括多个间隔平行分布的用于印刷副栅线的副栅线孔和用于印刷外围边框线的外围边框线孔以及定位孔，所述副栅线孔位于相邻两根纬线之间，外围边框线孔的形状为波浪形或锯齿形，定位孔位于主栅线上；

所述DP2无网结丝印网版的网纱上印刷区的图形包括多个间隔平行分布的用于印刷副栅线的副栅线孔和多个间隔平行分布的用于印刷主栅线的主栅线孔以及用于印刷外围边框线的外围边框线孔，所述副栅线孔位于相邻两根纬线之间，每个主栅线孔与多个副栅线孔均连通，主栅线孔与副栅线孔相互垂直设置，所述主栅线孔上设置有多个导电银浆无法透过的微小图形以及与DP1定位孔相对的导电银浆无法通过的对位点，外围边框线孔设置在主栅线孔和副栅线孔的四周，外围边框线孔的形状为波浪形或锯齿形。