[发明专利]一种二硫化钼纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710789452.6 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107512735A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 武卫明;张长松;王书红;周丽敏;郑勇;张楠;侯绍刚 | 申请（专利权）人： | 安阳工学院 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所(普通合伙)41116 | 代理人： | 杨红军 |
| 地址： | 455000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二硫化钼纳米片及其制备方法，其特征在于：二硫化钼纳米片通过磁控反应溅射的方法制备。
2.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片及其制备方法，其特征在于：所述的二硫化钼纳米片厚度在1纳米-10纳米之间。
3.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片及其制备方法，其特征在于：磁控反应溅射方法以金属钼作为溅射靶材；所用溅射气体为Ar与H2S混合气，H2S体积含量为0.1-20%；所用溅射沉积衬底为金属铜、锌、锡、镍或者铝片；其溅射参数为：靶基距为5-9cm，基片台的转速在1-20圈/分钟，溅射气压为0.1 Pa-10 Pa，溅射功率密度P=2-12W/cm2, H2S流量与Ar流量之比为1/4-1/999，溅射基底温度在20-600℃，通过控制溅射参数的改变可以制备出沉积在金属衬底上的具有不同厚度的MoS2纳米片；最后通过盐酸或者硝酸溶液溶解掉金属衬底即可获得MoS2纳米片。
4.根据一种权利要求1所述的二硫化钼纳米片及其制备方法，其特征在于：所述的二硫化钼纳米片可以作为锂离子电池的负极材料，也可以作为电极催化剂应用于氢气的电催化氧化反应或者电催化析氢反应中。
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