[发明专利]安全器件状态设备和方法有效

专利信息
申请号: 201710790343.6 申请日: 2017-09-05
公开(公告)号: CN108269605B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 马里厄斯·席尔德;蒂莫西·陈;斯科特·约翰森;哈里森·范;德里克·马丁 申请(专利权)人: 谷歌有限责任公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G06F21/74;G06F21/78;H04L9/32
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李宝泉;周亚荣
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 安全 器件 状态 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种保护具有多个器件状态熔丝的半导体芯片器件的方法,所述方法包括:

将存储在所述器件状态熔丝中的原始器件比特模式改变为测试模式启用比特模式,用于将器件状态从原始器件状态改变为测试模式启用器件状态,其中所述测试模式启用器件状态允许对所述半导体芯片器件执行制造测试;

响应于所述半导体芯片器件通过制造测试,将所述测试模式启用比特模式改变为测试模式锁定比特模式,用于将所述器件状态从所述测试模式启用器件状态改变为测试模式锁定器件状态;

响应于所述器件状态熔丝被改变为与和已知器件状态相对应的已知比特模式不匹配的比特模式,将所述器件状态熔丝的当前比特模式更改为测试模式禁用比特模式,用于将当前器件状态改变为测试模式禁用器件状态;以及

至少部分地基于所述器件状态的所述改变来修改所述半导体芯片器件的安全级别,对应于所述测试模式禁用器件状态的安全级别使得所述半导体芯片器件中的端口和存储器永久地被禁用或不可访问。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,与所述原始器件状态相对应的安全级别使得测试模式和所述端口不可从外部访问。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,与所述测试模式锁定器件状态相对应的安全级别不允许对所述半导体芯片器件执行制造测试。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,与所述测试模式锁定器件状态相对应的安全级别允许所述半导体芯片器件转换回到所述测试模式启用器件状态。

5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

响应于所述半导体芯片器件没有通过所述制造测试,将所述测试模式启用比特模式改变为所述测试模式禁用比特模式,用于将所述器件状态从所述测试模式启用器件状态改变为所述测试模式禁用器件状态。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片器件进一步包括引导加载器;以及

其中,响应于所述引导加载器验证了所述半导体芯片器件连同解锁请求接收到了正确的解锁密码,所述原始器件比特模式改变为所述测试模式启用比特模式。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,与所述测试模式启用器件状态相对应的安全级别允许经由所述端口中的一个或多个端口进行对所述半导体芯片器件的制造测试。

8.一种半导体芯片器件,包括:

多个器件状态熔丝,所述多个器件状态熔丝存储指示所述半导体芯片器件的器件状态的比特模式;

端口和存储器;

处理器,所述处理器可操作地连接至所述器件状态熔丝;以及

存储装置,所述存储装置存储有指令,所述指令在由所述处理器执行时使所述处理器:

将存储在所述器件状态熔丝中的原始器件比特模式改变为测试模式启用比特模式,用于将器件状态从原始器件状态改变为测试模式启用器件状态,其中所述测试模式启用器件状态允许对所述半导体芯片器件执行制造测试;

响应于所述半导体芯片器件通过制造测试,将所述测试模式启用比特模式改变为测试模式锁定比特模式,用于将所述器件状态从所述测试模式启用器件状态改变为测试模式锁定器件状态;

响应于所述器件状态熔丝被改变为与和已知器件状态相对应的已知比特模式不匹配的比特模式,将所述器件状态熔丝的当前比特模式更改为测试模式禁用比特模式,用于将当前器件状态改变为测试模式禁用器件状态;以及

基于所述器件状态的所述改变来修改所述半导体芯片器件的安全级别,对应于所述测试模式禁用器件状态的安全级别使得所述半导体芯片器件中的端口和存储器永久地被禁用或不可访问。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片器件,其中,与所述原始器件状态相对应的安全级别使得测试模式和所述端口不可从外部访问。

10.根据权利要求8所述的半导体芯片器件,其中,与所述测试模式锁定器件状态相对应的安全级别不允许对所述半导体芯片器件执行制造测试。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谷歌有限责任公司,未经谷歌有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710790343.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top