[发明专利]一种数字可调的带隙基准电路

权利要求书

1.一种数字可调的带隙基准电路，其特征在于，包括：正温度系数电流生成电路、数字可调负温度系数电流生成电路和数字可调电阻串电路；

正温度系数电流生成电路，用于产生正温度系数电流Ip和偏置电压U1；

数字可调负温度系数电流生成电路，用于接收第一控制信号，根据所述偏置电压U1和所述第一控制信号，生成数字可调的负温度系数电流In；以及，对正温度系数电流Ip和负温度系数电流In进行加和处理，输出电流I；

数字可调电阻串电路，用于接收第二控制信号，根据所述电流I和所述第二控制信号，控制串联连入的电阻值，实现对输出电压Vref的控制；

其中，

正温度系数电流生成电路，包括：PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NPN晶体管B1、NPN晶体管B2、NPN晶体管B3、NPN晶体管B4、电阻R1、电阻R2和电阻R3；

数字可调负温度系数电流生成电路，包括：第一译码电路和负温度系数电流生成电路；

负温度系数电流生成电路，包括：PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16、NMOS管M17、NMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M21、NMOS管M22、NMOS管M23、NMOS管M24、NMOS管M25、NMOS管M26、NMOS管M27、NPN晶体管B5、NPN晶体管B6、电阻R4、电阻R5、电阻R6和电阻R7。

2.根据权利要求1所述的数字可调的带隙基准电路，其特征在于，

PMOS管M1的栅极和PMOS管M2的栅极相连，源极连接VDD，漏极连接NPN晶体管B3的集电极；

电阻R3的一端连接NMOS晶体管M4的栅极，另一端连接GND；

PMOS管M2的漏极和NMOS管M3的漏极、栅极相连，并作为偏置电压U1的输出；

NMOS管M3的源极和NPN晶体管B2的发射极、NMOS管M4的漏极相连，并作为正温度系数电流Ip输出；

NMOS管M4的源极连接GND；

电阻R1的一端连接VDD，另一端与NPN晶体管B1的集电极、基极和NPN晶体管B2的基极相连；

NPN晶体管B1的发射极和NPN晶体管B3的基极、NPN晶体管B4的基极和集电极相连；

电阻R2的一端连接NPN晶体管B3的发射极，另一端连接GND；

NPN晶体管B4的发射极连接GND。

3.根据权利要求1所述的数字可调的带隙基准电路，其特征在于，

第一译码电路，用于接收四位二进制码的第一控制信号ADJ1<3:0>，对ADJ1<3:0>进行译码，得到控制信号A0、A1、A2、A0N、A1N、A2N和A3N；

负温度系数电流生成电路，用于根据所述偏置电压U1以及控制信号A0、A1、A2、A0N、A1N、A2N和A3N，生成数字可调的负温度系数电流In；以及，对正温度系数电流Ip和负温度系数电流In进行加和处理，输出电流I。