[发明专利]一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法有效
| 申请号： | 201710791688.3 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107675120B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 牛亚然;翟翠红;赵君;李红;郑学斌;孙晋良;丁传贤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C4/134 | 分类号： | C23C4/134;C23C4/10;C23C4/18 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钼合金 硅化钼涂层 基体表面 制备 等离子体喷涂 规模化生产 热处理 表面制备 可重复性 硅涂层 硅粉 | ||
1.一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法，其特征在于，以硅粉为原料，采用等离子体喷涂技术在钼或钼合金基体表面制备硅涂层，然后置于惰性气氛中在1000～1500℃下热处理1～10小时，从而在钼或钼合金基体表面形成硅化钼涂层，所述硅粉的粒径为10～120μm，纯度大于98 wt.%；所述硅涂层的厚度为60～300μm；
所述硅化钼涂层包括MoSi2外层、以及位于所述基体和MoSi2外层之间的过渡层，所述过渡层为Mo5Si3-Mo3Si；
所述等离子体喷涂技术的工艺参数包括：等离子体气体Ar：30～50 slpm；等离子体气体H2：6～15 slpm；粉末载气Ar：2～7 slpm；喷涂距离：100～200 mm；喷涂功率：30～50 kW；送粉速率：10～30 rpm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基体经过表面喷砂预处理，所述喷砂预处理的压强为0.1～0.5 MPa。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述惰性气氛为氩气。
4.一种根据权利要求1-3中任一项所述方法在钼或钼合金基体表面制备的硅化钼涂层，其特征在于，包括MoSi2外层、以及位于所述基体和MoSi2外层之间的过渡层，所述过渡层为Mo5Si3-Mo3Si；所述过渡层的厚度为5～30μm；所述MoSi2外层的厚度为20～100μm。
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